[实用新型]晶圆清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶圆清洗设备。

背景技术

在半导体器件的制造工艺中，清洗是其中最重要和最频繁的步骤之一。一般来说，在半导体器件的整个制造工艺中，高达20％的步骤为清洗的步骤。清洗的目的是为了避免微量离子和金属杂质对半导体器件的污染，以至于影响半导体器件的性能和合格率。

通常情况下，晶圆在采用化学试剂清洗之后，都要再用去离子水进行清洗，以去除晶圆表面残留的清洗试剂，例如中国专利申请第200510000354.3号公开的晶圆清洗方法。

在半导体器件制作工艺中，采用电镀工艺沉积铜之后，采用H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液进行清洗，以减薄晶圆边缘，之后，要采用去离子水清洗晶圆，以清洗晶圆边缘残留的清洗剂，清洗工艺完成之后，进入化学机械抛光工艺，以对金属铜进行平坦化处理。现有的清洗设备参考附图1所示，包括，用于容纳晶圆4和清洗液(去离子水)5来进行晶圆清洗的清洗槽1，清洗槽1内还具有与清洗槽的底座相连用于固定晶圆的晶圆架(图中未示出)，以及与晶圆架相连用于带动晶圆旋转的马达(图中未示出)；用于将清洗液输送入清洗槽的进液装置；连通清洗槽，用于将清洗液从清洗槽中排出的排液装置(图中未示出)；如附图1中所示，所述的进液装置包括支架2以及与支架连接的喷嘴3，所述支架连接在清洗槽上，所述喷嘴3的出水口与晶圆架成45度角倾斜，进行清洗时，用于清洗的去离子水的水压不稳定，导致去离子水在晶圆表面上的落点不稳定，容易导致晶圆的某几个部位不能清洗到或者清洗不干净，而且，清洗过程中晶圆在马达的带动下旋转，而所述装置的喷嘴只有1个，导致晶圆上不同部位清洗不均匀，晶圆上存在清洗液的残留。

以铜金属布线为例，在采用附图1所示的晶圆清洗设备清洗晶圆之后，进入化学机械抛光工艺，由于晶圆表面的某些部位存在H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液的残留，在化学机械抛光工艺中，晶圆表面存在清洗液残留的部位会产生剥落现象，如附图2所示，附图2中用黑线圈出的部分6和7即为化学机械抛光工艺中晶圆表面产生的剥落现象。

因此，必须对设备进行改进，以完全去除晶圆表面的清洗液残留。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型解决的技术问题是提供一种晶圆清洗装置，解决现有技术中晶圆清洗设备清洗不均匀以及清洗不够干净的缺陷，提高晶圆清洗的均匀性以及效率。

一种晶圆清洗装置，包括：清洗槽；向清洗槽中通入清洗溶液的进液装置，所述的进液装置包括支架，与支架连接的连接管，与连接管连通的一个以上的喷嘴，所述喷嘴向清洗槽中通入清洗溶液。

优选的，所述喷嘴数量为8～20个，所述喷嘴的孔径为0.6～1.5mm。

优选的，所述喷嘴均匀排布。

优选的，所述连接管与支架垂直连接。

优选的，所述喷嘴与连接管垂直连通。

与现有技术相比，上述方案具有以下优点：

本实用新型提供的晶圆清洗装置，包括：清洗槽；向清洗槽中通入清洗溶液的进液装置，所述的进液装置包括支架，与支架连接的连接管，与连接管连通的一个以上的喷嘴，所述喷嘴向清洗槽中通入清洗溶液，由于所述一个以上的喷嘴均匀的将清洗溶液喷至晶圆表面，因此，能够均匀清洗掉晶圆表面的污染物残留，尤其是化学试剂残留。

附图说明

图1为现有技术晶圆清洗装置的结构示意图；

图2为现有技术晶圆清洗装置清洗的晶圆在后续工艺中产生的缺陷表面；

图3为本实用新型晶圆清洗装置的结构示意图；

图4为本实用新型晶圆清洗装置与现有技术晶圆清洗装置清洗晶圆表面后产生缺陷数目的对比图；

图5为本实用新型又一晶圆清洗装置与现有技术晶圆清洗装置清洗晶圆表面后产生缺陷数目的对比图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，解决现有技术的晶圆清洗装置只有一个喷嘴，在清洗晶圆时从喷嘴出来的去离子水在晶圆表面不同部位的清洗力度不同，导致清洗不均匀的缺陷。