[实用新型]高通量测试芯片

权利要求书

1.一种高通量测试芯片，其特征在于，该测试芯片包括微电极组(10)、芯片基底(01)、导电层(02)、带有过孔的绝缘层(03)、芯片中间间隔层(04)、芯片盖片(05)和进样口(06)；在芯片基底(01)上设有导电层(02)，在导电层(02)上设有带有过孔的绝缘层(03)，在带有过孔的绝缘层(03)的边沿上设有间隔层(04)，在芯片中间间隔层(04)内的带有过孔的绝缘层(03)上设有微电极组(10)，在芯片中间间隔层(04)上设有芯片盖片(05)，进样口(06)设在芯片盖片(05)的中部。

2.如权利要求1所述的高通量测试芯片，其特征在于，所述的芯片基底(01)、绝缘层(03)、芯片中间间隔层(04)和芯片盖片(05)的材料为绝缘材料。

3.如权利要求2所述的高通量测试芯片，其特征在于，所述的绝缘材料包含玻璃、或硅、或高分子聚合物或它们的组合在内的生物相容性好的绝缘材料。

4.如权利要求1所述的高通量测试芯片，其特征在于，微电极组(10)由多根平行的细长条电极组成，并形成周期排布的行波电极，且所有产生相同电位的电极连接到同一个端子，电极直接连至导电层(02)或通过绝缘层(03)的过孔连接到导电层(02)。

5.如权利要求1所述的高通量测试芯片，其特征在于，导电层(02)是透明的导电材料时，导电层(02)覆盖整个测试区。

6.如权利要求1所述的高通量测试芯片，其特征在于，微电极组(10)中的每个微电极分为本征光电导层(11)、n+型光电导层(12)、透明导电薄膜层(13)三层；光电导层(11)的材料包括氢化非晶硅的具有光电导特性的材料；透明导电薄膜层(13)的材料包括氧化铟锡的具有高透光率的导电材料。