[实用新型]高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统有效

专利信息
申请号: 200820124294.9 申请日: 2008-12-11
公开(公告)号: CN201342395Y 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 景玉鹏;惠瑜 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B05C9/00 分类号: B05C9/00;B05C11/08;B05D3/02;C23C26/00
代理公司: 北京市德权律师事务所 代理人: 王建国
地址: 100029北京市朝*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高压 二氧化碳 临界 旋涂成膜 系统
【权利要求书】:

1、一种高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,所述系统包括成膜腔,在所述成膜腔内设置有真空吸盘,所述真空吸盘与旋转马达的转子相连接;在所述成膜腔内部还设置有加热装置;所述成膜腔通过管路分别与外部的二氧化碳钢瓶、反应气体钢瓶以及成膜液体罐相连通;此外,所述成膜腔还连接有与外部连通的排气管。

2、根据权利要求1所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,所述加热装置为电阻丝加热装置,所述电阻丝加热装置包括一段电阻丝以及反射透镜。

3、根据权利要求1所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,在所述成膜腔内设置有温度传感器。

4、根据权利要求1所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,在所述成膜腔内设置有压力传感器。

5、根据权利要求1所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,所述旋转马达连接有转速显示表。

6、根据权利要求1所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,在所述成膜腔外部设置有温控腔,所述温控腔将所述成膜腔和所述旋转马达封装在其内。

7、根据权利要求6所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,在所述温控腔内设置有水循环冷却装置。

8、根据权利要求1所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,在所述成膜腔外壁设置有可视窗。

9、根据权利要求8所述的高压二氧化碳超临界旋涂成膜系统,其特征在于,所述可视窗为蓝宝石可视窗。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820124294.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top