[实用新型]改进型发光二极管结构有效
| 申请号： | 200820125304.0 | 申请日： | 2008-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN201265758Y | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吴明昌;许志扬;徐明佑;魏志宏 | 申请（专利权）人： | 研晶光电股份有限公司 |
| 主分类号： | F21S2/00 | 分类号： | F21S2/00;F21V19/00;F21V21/00;F21V23/06;F21V9/10;H01L23/28;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改进型 发光二极管 结构 | ||
1.一种改进型发光二极管结构，包括一铜箔基板，一导电体，一发光二极管芯片，一透明胶和一印刷电路板，其特征在于：
所述铜箔基板上设置一矩形凹槽，所述矩形凹槽外围设置一环状凹槽，所述环状凹槽将所述矩形凹槽包覆在内，所述矩形凹槽侧壁与所述铜箔基板的表面产生一自然导角，进而产生一岛状平台；
所述导电体贯穿所述铜箔基板，设置于所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间，并于所述导电体外包覆一绝缘体，使所述导电体与所述铜箔基板绝缘；
所述发光二极管芯片设置于所述铜箔基板上；
所述透明胶设置于所述铜箔基板，包覆一荧光胶与所述铜箔基板表面，并使所述透明胶包覆范围小于所述环状凹槽产生的所述自然导角；
所述印刷电路板将所述铜箔基板设置于所述印刷电路板上。
2.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
3.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述环状凹槽是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
4.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述自然导角是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
5.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽之间还包含有一文字标记或一标志。
6.如权利要求5所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述文字标记或所述标志是利用蚀刻、反镀或机械加工方式设置的。
7.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述自然导角是接近90度的角度设置的。
8.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述铜箔基板厚度为0.1mm至0.5mm。
9.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽深度为0.03mm至0.1mm。
10.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以直线方式，重复排列设置于所述铜箔基板上。
11.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以矩形重复排列方式设置于所述铜箔基板上。
12.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述矩形凹槽与所述环状凹槽是以重复排列方式设置于所述铜箔基板上。
13.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管芯片更包覆有一荧光胶，所述荧光胶包覆范围小于所述矩形凹槽产生的所述自然导角。
14.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述岛状平台上设置一喷砂的凹凸表面，以增加透明胶的附着力。
15.如权利要求1所述的改进型发光二极管结构，其特征在于，所述铜箔基板为导电基板。
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