[实用新型]一种γ射线探测器

权利要求书

1.一种γ射线探测器，包括：

探测器晶体，用于将入射到该探测器晶体中的γ射线转换成荧光光子，该探测器晶体具有：用于接收γ射线的前端面、与该前端面相反的后端面以及周向表面；

光电倍增管，该光电倍增管设置成邻近所述探测器晶体的后端面，用于接收来自所述光电转换材料体的荧光光子，并将其转换为光电子并将光电子倍增；

X/γ射线屏蔽体，该X/γ射线屏蔽体至少包围该探测器晶体的周向表面，并且暴露出该探测器晶体的前端面；

中子屏蔽体，该中子屏蔽体位于该X/γ射线屏蔽体的外侧，并至少包围该探测器晶体的周向表面，并且暴露出该探测器晶体的前端面。

2.根据权利要求1所述的γ射线探测器，还包括：

中子吸收体，该中子吸收体设置成邻近所述探测器晶体的前端面，并防止中子从该前端面进入该探测器晶体并且不会产生氢的2.223MeV的特征γ射线。

3.根据权利要求1或2所述的γ射线探测器，还包括：

准直器，该准直器包括与所述探测器晶体的前端面对准的通孔，该通孔限定了一延伸方向，用于仅允许基本上沿着该延伸方向并经由该通孔到达该前端面的X/γ射线进入该探测器晶体。

4.根据权利要求1所述的γ射线探测器，其中，所述X/γ射线屏蔽体还包围了所述探测器晶体的后端面。

5.根据权利要求1所述的γ射线探测器，其中，所述中子屏蔽体还包围了所述探测器晶体的后端面。

6.根据权利要求1所述的γ射线探测器，其中，所述探测器晶体的材料为NaI。

7.根据权利要求1所述的γ射线探测器，其中，所述X/γ射线屏蔽体的材料为铅。

8.根据权利要求1所述的γ射线探测器，其中，所述中子屏蔽体由富含H的材料构成。

9.根据权利要求6所述的γ射线探测器，其中，所述中子屏蔽体由石蜡、聚乙烯或水构成。

10.根据权利要求2所述的γ射线探测器，其中，所述中子吸收体由富含H的材料与硼一起构成。

11.根据权利要求10所述的γ射线探测器，其中，所述中子吸收体由含硼聚乙烯构成。

12.根据权利要求3所述的γ射线探测器，其中，所述准直器的材料为铅。