[实用新型]大功率发光二极管灯有效
申请号: | 200820132853.0 | 申请日: | 2008-08-11 |
公开(公告)号: | CN201242129Y | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | 陈鸿文 | 申请(专利权)人: | 陈鸿文 |
主分类号: | F21V29/00 | 分类号: | F21V29/00;F21V19/00;H01L23/36;H01L23/467;H01L33/00;F21Y101/02 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 发光二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种大功率发光二极管灯,尤指一种无需再另外设置电路基板,本身具散热机构,可以达到良好的散热效果。
背景技术
随着发光二极管(LED)功率的不断提高,其工作时产生的废热量相对增加,因此废热量的排放相对显得重要。纵观目前发光二极管灯具的散热方式,一般为发光二极管工作产生的废热通过电路基板、散热膏与散热器接触排放的方式。
目前发光二极管灯具的散热方式存在下列缺点,可造成发光二极管温度上升、工作效率降低,甚至损坏:1)散热器与发光二极管组件之间,存在绝缘封装用的高热阻高分子层结构;2)发光二极管系安装在高热阻绝缘的聚脂电路基板上;3)使用高热阻散热膏于各结构层间。
目前,解决上述问题的方式,大多以加大散热器面积或增加风扇转速的方式来增加散热效率,但仅是以增加散热器终端的效率为改善对策,对于发热源(即发光二极管)至散热终端(即散热器)间所产生之热传导效率问题并未有效且合理的改善或解决。
现有技术中,在克服上述散热问题的发展上有几种方式:
技术一,如日本专利JP2004-200347,然该技术只改善发光二极管内部的散热结构,对于发光二极管外部之高热阻绝缘封装层的热堵塞堆积状况,亦未能有效解决。
技术二,如日本专利JP平5-347369,该技术虽改善了发热电子组件的上部封装层散热问题,但对于下部高热阻绝缘电路板与散热胶接口缺陷的问题,也未能提供解决方法。
技术三,如中国专利CN1545148,公开了一种将该大功率发光二极管贴装在金刚石基板上的散热结构之技术,然该技术使用多层散热胶于各结构层间,以期达成热传导目的。实际实施使用时却显示,每增加一接口会因增加气泡、杂质、材料缺陷等因素造成热阻的提高,因此上述新型在降低热阻信道、降低导热结构复杂度、接口数量与确保散热胶接口气泡等项目,均仍未合理解决热传导的整体性问题。
发明内容
本实用新型的目的,在于提供一种灯体本身即为一散热机构,并于其上直接制作金属电路,无需再另外设置电路基板,降低各结构层间的阻热状态,达到将热源快速排出功效的大功率发光二极管灯。
本实用新型的技术方案如下。
一种大功率发光二极管灯,包括:
一散热单元,具有多个气流通道及一吸热端与一发热端;
一高导热率电绝缘层,层积于该散热单元的吸热端;
一金属电路,系被制作于该高导热率电绝缘层上;及
至少一个发光二极管,系被封装于该金属电路上。
较佳为,该散热单元的吸热端系在平面、凹面或凸面中选择其一种方式设计。
大功率发光二极管灯的另一种设计,包括:
一散热单元,其具有数多气流通道及一吸热端与一发热端;及至少一个灯体,灯体可拆卸式结合于散热单元上,灯体表面上制作有高导热率电绝缘层,该高导热率电绝缘层上再依需求制作金属电路,于该金属电路上封装至少一个发光二极管,发光二极管被表面封装于电绝缘层与金属电路上,或被部份埋入电绝缘层中并与底部金属散热座接触的封装。
较佳为,该灯体的表面是在平面、凹面或凸面中选择其一种方式。进一步地,在该灯体与该散热单元间可设热管或致冷芯片。
上述二实施例中,该导热率电绝缘层系在蒸镀、溅镀、压模、注射、网印、烧结或喷涂中选择其一种方式积层制作而成一金属电路,被制作于该高导热率电绝缘层上;及至少一个发光二极管,系被表面封装于电绝缘层与金属电路上,或被部份埋入电绝缘层中并与底部金属散热座接触的封装。该高导热率电绝缘层之材质系选自金刚石、氮化铝、碳化硅、金刚石高分子粉末材料中的至少一种材料。
上述二实施例中,该气流通道至少具有二相对应之开口,并以此与外界相通。
上述二实施例中,该气流通道与上下方向垂直轴线间之夹角介于0~60度之间。
上述二实施例中,该散热单元之发热端表面设有在微凹孔、微凸粒、多孔隙或海棉体孔隙选择其中一种之微结构,并于该微结构表面以蒸镀、溅镀、电镀、烧结或喷涂中选择其一种方式积层制作热辐射层。该热辐射层之材质系选自金刚石、氮化铝、碳化硅、金刚石高分子粉末材料中的至少一种材料。
上述二实施例中,该散热单元的发热端具有多个鳍片,该气流通道位于两两鳍片间。该气流通道进一步包括一个开口,该开口与该二相对应之开口相通。该两两鳍片间进一步以封闭面相连设。并在该封闭面上进一步设至少一个进气孔。
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