[实用新型]一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈

权利要求书

1、一种用于多晶硅真空区熔提纯的加热线圈，包括线圈骨架和线圈水冷管，线圈水冷管焊接嵌入线圈骨架内，所述线圈骨架内圆下边沿一端和线圈下表面连接成的斜面与水平面呈第一倾斜角度，其特征在于，所述线圈采用平板单匝结构，在线圈骨架内圆周围的上表面设有第一级台阶和第二级台阶，第一级台阶所在圆的直径大于第二台阶所在圆的直径，第二级台阶的底部一端和线圈骨架内圆边沿连接成的斜面与水平面呈第二倾斜角度。

2、根据权利要求1所述的加热线圈，其特征在于，该线圈进一步包括电极上法兰和电极下法兰，电极上法兰和电极下法兰上有电极连接孔和水冷管孔，线圈水冷管穿过水冷管孔并分别与电极上法和电极下法兰相焊接，循环冷却水由线圈水冷管进出线圈骨架，在所述线圈骨架上靠近电极上法兰和电极下法兰的一侧开设有一个切口。

3、根据权利要求1或2所述的加热线圈，其特征在于，所述线圈骨架和线圈水冷管均采用紫铜T2级材料制成。

4、根据权利要求3所述的加热线圈，其特征在于，所述薄饼式单匝结构的厚度为7～9mm。

5、根据权利要求4所述的加热线圈，其特征在于，所述第一倾斜角度为7～10度。

6、根据权利要求5所述的加热线圈，其特征在于，所述第二倾斜角度为6～9度。

7、根据权利要求6所述的加热线圈，其特征在于，第一级台阶所在圆的直径为52～54mm，第二级台阶所在圆的直径为48～50mm，第一级台阶和第二级台阶的高度均为1～1.5mm。

8、根据权利要求6所述的加热线圈，其特征在于，第一级台阶所在圆的直径为53mm，第二级台阶所在圆的直径为49mm，第一级台阶和第二级台阶的高度均为1mm。

9、根据权利要求7所述的加热线圈，其特征在于，线圈骨架内圆为偏心式结构，由一半正圆与一半椭圆组成，椭圆的短半轴与正圆的半径相等，椭圆的长半轴的长度与正圆的半径之比为1.15:1，线圈下表面上设有一个偏心刻槽，所述偏心刻槽是从线圈骨架内圆下边沿水平向法兰方向刻出4～6mm。

10、根据权利要求9所述的加热线圈，其特征在于，所述切口为一个切面互相平行的倾斜切口，并位于椭圆长半轴的延长线上靠近法兰一侧。