[实用新型]带有功率控制模式的功率放大器偏置电路

权利要求书

1、一种带有功率控制模式的功率放大器偏置电路，它具有

控制电压输入端(V_CON)，其用于接收来自基带的控制电压；

线性偏置电路(1)，所述的线性偏置电路(1)包括第一晶体管(HBT1)和第二晶体管(HBT2)，所述的第一晶体管(HBT1)的基极与第二晶体管(HBT2)的发射极相连接；

功率模式控制单元(2)，所述的功率模式控制单元(2)用于从所述的线性偏置电路(1)中抽取电流以控制第一晶体管(HBT1)的偏置状态；

其特征在于：所述的功率模式控制单元(2)包括集电极与所述的第二晶体管(HBT2)的基极相连接的第三晶体管(HBT3)、集电极与所述的第三晶体管(HBT3)发射极相连接的第五晶体管(HBT5)、基极与所述的第五晶体管(HBT5)基极相连接的第四晶体管(HBT4)，所述的第三晶体管(HBT3)基极与第四晶体管(HBT4)集电极相连接并通过一上拉电阻(R2)与所述的控制电压输入端(V_CON)相连接，且第四晶体管(HBT4)与第五晶体管(HBT5)的发射极分别接地。

2、根据权利要求1所述的带有功率控制模式的功率放大器偏置电路，其特征在于：所述的各晶体管为异质结双极晶体管。

3、根据权利要求1或2所述的带有功率控制模式的功率放大器偏置电路，其特征在于：所述的第三晶体管(HBT3)、第四晶体管(HBT4)、第五晶体管(HBT5)具有相同的器件特性。