[实用新型]一种利用低效片重处理的太阳能电池片无效
申请号: | 200820137685.4 | 申请日: | 2008-09-28 |
公开(公告)号: | CN201349007Y | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 陈佰江 | 申请(专利权)人: | 宁波百事德太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
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地址: | 315450*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 低效 处理 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池片。
背景技术
目前,在太阳能电池片的生产过程中不可避免地会在烧结之后产生低效片和比较严重的花片。以往我们的低效片和比较严重的花片都只能压在仓库,不知道如何处理。这样造成了很大的浪费和成本的提高,所以是否能把低效片冲处理变成了我们所要考虑的问题。目前,太阳能电池生产厂家低效片和严重花片所占电池片总数的0.1%左右倘若可以把这些低效片或者严重花片重处理,可以代替部分硅片重新进行电池片制作,将可以在一定程度上降低生产成本。
发明内容
针对现有的低效片浪费的缺点,本实用新型提供一种利用低效片重处理的太阳能电池片。
为了实现上述目的,本实用新型所采取的措施是:一种利用低效片重处理的太阳能电池片,该太阳能电池片包括氮化硅膜1、硅PN结2、银铝浆2、背铝3,上述各部件构成层状结构;
氮化硅膜1的上表面设置银栅线5。
本实用新型的有益效果:重复利用低效片,节约资源,降低生产成本。
附图说明
图1.本实用新型的层状结构示意图。
图2.本实用新型的主视图。
具体实施方式
请参见附图说明其实施过程:
一种利用低效片重处理的太阳能电池片,该太阳能电池片包括氮化硅膜1、硅PN结2、银铝浆2、背铝3,上述各部件构成层状结构;氮化硅膜1的上表面设置银栅线5。单晶太阳能电池片正反两面一般情况下从结构来看一般为:银栅线,氮化硅膜,硅PN结,银铝浆,背铝。能否用一种药液就将除了硅之外的其他物质去除呢?
我们经过多次实验配出一种溶液的效果很好,溶液的配比为硝酸∶氢氟酸∶盐酸=1∶3∶1并用水浴系统进行温度的控制,使得整个的反应过程变的缓慢均匀,并且具有很好的可调性!在所配的溶液中硝酸是一种强氧化剂可以溶解银,加之有氯离子的存在,溶液中便生成了一种比硝酸有更强氧化性的物质,通过这种强氧化性的物质能够更好的溶解烧结在电池片上的银栅线和银铝背电极。简易化学方程式如下:
Ag+HNO3+HCl===AgCl3+NO↑+2H2O
AgCl3+HCl===HAgCl4(四氯合银酸)(盐酸过量)
溶液中的的强氧化剂同时也能更好的去除烧结之后形成的硅铝合金。溶液中盐酸的存在同时溶解了背电场并生成大量氢气。
Al+HCl=AlCl3+H2↑(去铝)
而减反射膜氮化硅层则由氢氟酸去除,反应方程式如下:
Si3N4+4HF+9H2O=====3H2SiO3(沉淀)+4NH4F(去氮化硅)
上述反应在王水加氢氟酸中反应很快很剧烈。反应过程中会产生大量的有毒气体NO,NO2等,与此同时溶液中的盐酸,硝酸极易挥发,对人体有一定的危害,所以在反应过程中用降温来减少上面有毒气体和酸的挥发。降低温度还能很好的控制反应速度,使反应更充分均匀,便于控制。当然溶液利用度也提高,对人体危害也减小。
按上述配比制备溶液放在一个密封系统中,放入水浴系统反应10-15分钟便可除去银栅线、氮化硅膜和铝背场以达到太阳能电池片的低效片和严重花片回收利用的目的,降低了部分生产成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的