[实用新型]应用于光电半导体制程的快速升降温设备有效
申请号: | 200820139938.1 | 申请日: | 2008-10-21 |
公开(公告)号: | CN201289856Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 许明慧;林武郎;洪水斌;石玉光;郑煌玉;周明源;郭明伦 | 申请(专利权)人: | 技鼎股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L33/00;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人: | 孙 刚 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 光电 半导体 快速 升降 设备 | ||
技术领域
本实用新型关于一种半导体晶体处理设备,尤指一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备。
背景技术
以往光电半导体制程的快速高温热处理制程系统,仅提供手动进/退片功能,且各个制程站之间亦需人工进行制程条件的确认以及定位,使得操作人员必需随时监控制程且易产生人为失误情况。
但是,习用的设备之中,仍有其进/退片的困难及其加热与冷却结构不是很完善,使其晶圆无法均匀加热,而让品质无法维持,无石墨盘,而其需要三层腔体及其炉壁冷却隔板间不互通,为独立进出水孔,温度不均匀,制程反应区域依晶圆外形规划为圆形,单位面积的热源较不均匀。
因此,针对上述习知结构所存在的问题点,如何开发一种更具理想实用性的创新结构,实消费者所殷切企盼,亦系相关业者须努力研发突破的目标及方向。
有鉴于此,创作人本于多年从事相关产品的制造开发与设计经验,针对上述的目标,详加设计与审慎评估后,终得一确具实用性的本实用新型。
发明内容
本实用新型的目的在于,提供一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备,以解决上述习用结构的技术问题点,以达到承载物均匀加热。
解决问题的技术特点:本实用新型提供一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备,为手动制程腔体,其特征在于,包含有:
至少一制程腔体,该制程腔体至少分为二层,第一层外腔为不透光金属构造外腔,预留有至少一加热源的固定孔位,并连接有用以进行冷却的水冷与气冷的承载物冷却装置,制程腔体内部冷却隔板间互通,制程反应区域为矩形;第二层内腔为透光性构造内腔,并留有用以使制程气体装置向腔体内部供应洁净与制程用气体的气流孔洞;
一可手动取放承载物的开关门机构,该开关门机构设于制程腔体上,该开关门机构包括一把手及一进、退片装置,该进、退片装置包含有石英层的一用以支撑一承载物载盘的支撑架。
其中,该承载物为晶圆。
其中,该第二层内腔为具耐热与透光性的石英层。
其中,该第一层外腔与第二层内腔间具有用于气密性封合的无氧铜构造。
其中,该第一层外腔与第二层内腔间具有用于气密封合的O型环构造。
其中,该加热源为至少一红外线加热灯源,并固定于第一层外腔上,以阵列排列。
其中,该载盘为用以承载至少一需进行热处理制程承载物并用以配合不同承载物尺寸制程的具有均匀导热层的可置换式载盘。
其中,该第二层内腔与支撑架为多片组合式。
其中,该第二层内腔与支撑架为一体成型构造。
对照先前技术的功效:先前技术无法顺畅进退片,而且先前技术的晶圆无法均匀加热,良率无法提升,而本实用新型的制程腔体,其制程腔体设具至少二层及加热源与水冷、气冷冷却,及气液体流量监控,达晶圆均匀加热。而本实用新型的载盘,利用其材质特性与承载物间均匀导热,而本实用新型二层式腔体设计及其炉壁冷却隔板间互通,形成一均匀的冷却循环,而其制程反应区域依加热源规划为矩形,单位面积的热源较平均。
有关本实用新型所采用的技术、手段及其功效,兹举一较佳实施例并配合图式详细说明于后,相信本实用新型上述的目的、构造及特征,当可由的得一深入而具体的了解。
附图说明
图1:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体示意图。
图2:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体纵剖示图。
图3:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体横剖示图。
图4:本实用新型的制程腔体其一较佳实施例立体分解示图。
具体实施方式
参阅图1至图4所示,本实用新型提供一种应用于光电半导体制程的快速升降温设备,其为至少一制程腔体10,该制程腔体10至少分为二层,第一层外腔11为不透光金属构造外腔,预留至少一加热源固定孔位,并施以水冷或气冷方式进行冷却,第二层内腔12为透光性构造内腔,并留有气流孔洞,以供应腔体内部洁净用或制程用气体,二层腔体之间施以气密性封合;一开关门机构23,该开关门机构23设于制程腔体10上,该开关门机构23包括一进、退片装置231及一把手233,该把手233供操作人员握持,该进、退片装置231提供操作人员能轻易取放承载物60,进、退片装置231包含有以石英制作的支撑架213,用以支撑一载盘212,该载盘212用以承载至少一承载物60。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的