[实用新型]发光二极管驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管驱动电路，特别涉及一种定电流驱动的发光二极管驱动电路。

背景技术

请参考图1，为一现有的发光二极管驱动装置。该发光二极管驱动装置包含一定电流驱动器10、一电源供应器20、一发光二极管模块30以及一电流检测电阻R。定电流驱动器10包含一误差放大器12及一晶体管开关14。电源供应器20提供一驱动电流流经发光二极管模块30、定电流驱动器10及电阻R，而电阻R产生代表驱动电流大小的一电流检测信号。误差放大器12的一反向端接收上述电流检测信号，一非反向端接收一参考电压Vr，并根据电流检测信号及参考电压Vr而输出一驱动信号。晶体管开关14的漏极D耦接发光二极管模块30，源极S耦接电阻R，而栅极G接收上述驱动信号。误差放大器12会根据电流检测信号及参考电压Vr调整驱动信号的电位，以调整晶体管开关14的等效电阻值使电流检测信号的电位等于参考电压Vr的电位而达到定电流的作用。

现有的误差放大器12的电源端会连接晶体管开关14的漏极D，因此其所输出驱动信号的电位即为漏极D的电位。而为避免发光二极管驱动装置的效率太差，漏极D的电位不会太高，因此限制了晶体管开关14可导通的最大电流值。当发光二极管驱动装置需要以较高的电流驱动，而误差放大器12输出的驱动信号的电位被限制在漏极D的电位以下时，则必须增加晶体管开关14的芯片(DIE)大小。此举造成定电流驱动器的成本的增加。

实用新型内容

鉴于现有技术的缺陷，本实用新型将发光二极管驱动电路中驱动晶体管开关的驱动信号的电位上限提高，使晶体管开关能导通的最大电流值也随之上升。相较于现有技术，本实用新型可以较小的晶体管开关的芯片大小，提供相同的发光二极管驱动电流，因此可以有效减少电路成本。

为达到上述的优点，本实用新型提供了一种用以驱动一发光二极管模块的发光二极管驱动电路，包含晶体管开关以及反馈控制器。上述晶体管开关具有一控制端、一第一端以及一第二端，该第一端耦接该发光二极管模块，该控制端接收一控制信号以控制流经该晶体管开关的一电流大小。上述反馈控制器接收一参考电压及代表该电流大小的一电流检测信号，并根据该参考电压及该电流检测信号产生该控制信号；其中该反馈控制器连接一驱动电源，该驱动电源的电位高于该晶体管开关的该第一端的电位，使该控制信号的电位可调整范围的最大值高于该晶体管开关的该第一端的电位。

相较于现有技术，本实用新型的反馈控制器的驱动电源耦接至另一较高的电压源，而非晶体管开关的漏极。因此，晶体管开关可导通的最大电流值不再受漏极的电位的限制，而可以配合电路应用所需而外接一适当的电压电源，甚至反馈控制器的驱动电源耦接可以直接连接至所驱动的发光二极管模块中的一接点而不需另外提供一电压电源。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。

附图说明

图1为一现有的发光二极管驱动装置；

图2为本实用新型的一较佳实施例的发光二极管驱动装置的电路示意图；

图3为本实用新型的另一较佳实施例的发光二极管驱动装置的电路示意图。

其中，附图标记

现有技术

10 定电流驱动器           12 误差放大器

14 晶体管开关             20 电源供应器

30 发光二极管模块         R  电流检测电阻

Vr 参考电压               D  漏极

S 源极                    G  栅极

本实用新型

110、210 定电流驱动器

112、212 反馈控制器

114、214 晶体管开关

120、220 电源供应器

130、230 发光二极管模块

216      预调节器

240      电流平衡器

AC       交流电源

BD       桥式整流器

Cin      滤波器

R        电流检测电阻

Vr       参考电压

D’      晶体管开关的第一端

S’      晶体管开关的第二端

G’      晶体管开关的控制端

C        接点

具体实施方式

金氧半晶体管(MOSFET)的电流公式如下：