[实用新型]纳米压印用二次压印模板有效
| 申请号： | 200820144819.5 | 申请日： | 2008-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN201331670Y | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘文;王定理;周宁;赵彦立;徐智谋 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 压印 二次 模板 | ||
【权利要求书】：
1.一种纳米压印用二次压印模板，其特征在于，包括有基板(21)，在基板(21)上形成有多数个相同的成套密集波分复用系统用半导体激光器的分布反馈光栅结构(22)。
2.根据权利要求1所述的纳米压印用二次压印模板，其特征在于，所述的分布反馈光栅结构(22)的分布反馈光栅周期为：di＝λi/(2neff)，其中di为光栅周期，λi为符合ITU-T要求的激光器波长，其值在C波段为1525～1565nm，在L波段为1565～1605nm，波长间隔为0.8nm或者0.4nm，neff为激光器材料的有效折射率，典型值为3～3.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司;华中科技大学，未经武汉光迅科技股份有限公司;华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820144819.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种信息输入手柄
- 下一篇：篦冷机防结料辅助推动装置
