[实用新型]工艺补偿电压电流转换器无效

专利信息
申请号: 200820145146.5 申请日: 2008-12-30
公开(公告)号: CN201323568Y 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 戴宇杰;吕英杰;张小兴;刘洋 申请(专利权)人: 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
主分类号: H03L7/099 分类号: H03L7/099
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457天津市开*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 工艺 补偿 电压 电流 转换器
【说明书】:

(一)技术领域:

实用新型涉及一种电压电流转换的补偿电路,尤其是一种工艺补偿电压电流转换器。

(二)背景技术:

现有技术中电压电流转换电路常用于压控振荡器的输出频率的控制,通过电压的变化,引起电流的变化,再通过电流的变化,控制压控振荡器的频率输出。现有电路结构如图1所示,通过晶体管M1的栅极电压变化,引起整条支路上电流的变化,电流受到电阻R的工艺变化影响,集成电路中的电阻值变化范围通常在80%-120%,较大范围的阻值变化会引起电流很大的偏差,从而使输出电流值受到很大的影响。

(三)实用新型内容:

本实用新型的目的在于提出一种工艺补偿电压电流转换器,它结构简单,电路易于实现,补偿效果明显。

本实用新型的技术方案:一种工艺补偿电压电流转换器,其特征在于它包括电流源、电流镜像电路和工艺变化补偿电路;其中,电流源为外部电路,其电流输出端子与地相连,电流输入端子与电流镜像电路的输入支路相连,电流镜像电路按照每条输出支路上的电流与输入电流的比例关系将电流输出给工艺变化补偿电路。

上述所说的工艺变化补偿电路由晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4及电阻R构成,电流镜像电路的一路输出端与晶体管M1的栅极和漏极、晶体管M2的栅极、电阻R的一端相连接;电流镜像电路的另一路输出端分别与晶体管M2的漏极、晶体管M3的漏极和栅极及M4的栅极相连接;所说的晶体管M1的源极、晶体管M2的源极,晶体管M3的源极,晶体管M4的源极和电阻R的另一端全部接地;晶体管M4的漏极与电流输出端相连接。

上述所说的工艺补偿电压电流转换器利用控制电压改变振荡器的工作电流,从而改变振荡器的输出频率用以对压控振荡器频率输出的精确控制。

本实用新型的优越性在于:本实用新型结构简单,电路易于实现,补偿效果明显;其中电流镜像电路,用于产生不同支路上的电流,从而实现电流等比例关系;工艺变化补偿电路,用于减少工艺变化对电流输出的影响;本实用新型可用于对压控振荡器频率输出的控制以及实现各种不同要求的电压电流转换功能。

(四)附图说明:

图1为现有技术中一种工艺补偿电压电流转换器的电路框图。

图2为本实用新型所涉一种工艺补偿电压电流转换器的电路框图。

图3为本实用新型与现有技术的电路输出电流值对比图(其中,图3-1为现有技术的工艺补偿电压电流转换器的输出电流效果图,图3-2为增加本实用新型工艺变化补偿的工艺补偿电压电流转换器的输出电流效果图)。

其中,Fast为晶体管的阈值电压为低电压值时的工艺条件,Typical为晶体管的阈值电压为典型值时的工艺条件,Slow为晶体管的阈值电压为高电压值时的工艺条件。

(五)具体实施方式:

实施例:一种工艺补偿电压电流转换器(见图2),其特征在于它包括电流源、电流镜像电路和工艺变化补偿电路;其中,电流源为外部电路,其电流输出端子与地相连,电流输入端子与电流镜像电路的输入支路相连,电流镜像电路按照每条输出支路上的电流与输入电流的比例关系将电流输出给工艺变化补偿电路。

上述所说的工艺变化补偿电路(见图2)由晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4及电阻R构成,电流镜像电路的一路输出端与晶体管M1的栅极和漏极、晶体管M2的栅极、电阻R的一端相连接;电流镜像电路的另一路输出端分别与晶体管M2的漏极、晶体管M3的漏极和栅极及M4的栅极相连接;所说的晶体管M1的源极、晶体管M2的源极,晶体管M3的源极,晶体管M4的源极和电阻R的另一端全部接地;晶体管M4的漏极与电流输出端相连接。

上述所说的工艺补偿电压电流转换器利用控制电压改变振荡器的工作电流,从而改变振荡器的输出频率用以对压控振荡器频率输出的精确控制。

本实用新型与现有技术的技术效果的对比(见图3):

本实用新型中若控制电压为Vctrl,随Vctrl的变化,镜像电流同时发生变化,电流流向电阻R和M1的漏极,当工艺变化时,电阻R阻值变化范围在80%-120%,由下列计算公式(1)得出:

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津南大强芯半导体芯片设计有限公司,未经天津南大强芯半导体芯片设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820145146.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top