[实用新型]半导体引线框架模具无效
| 申请号： | 200820146377.8 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN201300170Y | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李正林 | 申请（专利权）人： | 厦门市尚明达机电工业有限公司 |
| 主分类号： | B21D28/34 | 分类号： | B21D28/34;B21D28/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361022福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 引线 框架 模具 | ||
【权利要求书】：
1、半导体引线框架模具，包括上模、下模，上模由上模座、垫板、固定板、卸料板和凸模组成，上模座上固定有固定板，凸模一端固定在固定板上，另一端导入卸料板中，下模由凹模板、凹模镶件、下模座组成，凹模板固定在下模座上，凹模镶件镶入凹模板内，其特征在于：上模上还设有卸料板座，卸料板固定在卸料板座上，卸料板上装有内导柱，在卸料板座上设有外导柱，上模座和下模座都装有导套，导柱和导套形成滚动配合。
2、如权利要求1所述的半导体引线框架模具，其特征在于：所述凸模和固定板之间间隙配合，间隙为0.025-0.035mm。
3、如权利要求1所述的半导体引线框架模具，其特征在于：所述的凸模与卸料板之间间隙配合，间隙为0.001-0.002mm。
4、如权利要求1所述的半导体引线框架模具，其特征在于：所述凹模镶件冲裁间隙为0.01-0.015mm，凹模孔为0.2度漏料斜度。
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