[实用新型]一种脉宽抑制电路及音频功率放大器无效
申请号: | 200820147123.8 | 申请日: | 2008-08-28 |
公开(公告)号: | CN201266921Y | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 李灿;江碧波;张礼振;杨云;冯卫 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/003 | 分类号: | H03K19/003;H03F3/20 |
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地址: | 518118广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 电路 音频 功率放大器 | ||
技术领域
本实用新型属于音频功放领域,尤其涉及一种脉宽抑制电路及音频功率放大器。
背景技术
在功率放大电路中,输入信号在大半个周期内都有电流流过放大器件,这种工作方式通常称为AB类放大,也称甲乙类放大,所以功率输出级工作在AB类放大状态下的音频功率放大器就称为AB类音频功率放大器。图7是AB类音频功率放大器的结构示意图,由驱动级、功率输出级与控制模块三部分组成:功率输出级为外部负载提供大的驱动能力,工作在AB类放大状态下;驱动级起一个信号传递与驱动功率输出级工作在AB类放大状态下的作用;控制模块控制整个芯片的开启与关闭以及实现其它的附加功能。输入的信号经过驱动级处理后,由功率输出级增强信号的驱动能力,输出信号通过滤波器或者直接驱动负载。
音频功率放大器的数字端口如果受到静电放电或噪声等因素的影响,端口上的有效电平很容易被叠加一些极窄的脉冲,,如果不对这些脉冲加以处理,音频功率放大器就会在极短的时间里产生一些不必要的动作,这会影响到音频功率放大器的稳定性与可靠性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种脉宽抑制电路,旨在解决音频功率放大器数字端口上的窄脉冲对放大器内部的影响。
本实用新型的目的是这样实现的,一种脉宽抑制电路,所述脉宽抑制电路包括:
充放电电路、充放电控制电、反相输出电路;
所述充放电控制电路与反相输出电路电连接;所述充放电电路一端与所述充放电控制电路及反相输出电路连接端相连,所述充放电电路另一端与地相连。
本实用新型的另一目的在于提供一种音频功率放大器,包括驱动级、功率输出级、控制模块,驱动级的一端与功率输出级相连,驱动级的另一端与控制模块相连,所述音频功率放大器还包括脉宽抑制电路,所述脉宽抑制电路与所述控制模块相连,所述脉宽抑制电路包括:
充放电电路、充放电控制电路、反相输出电路;
所述充放电控制电路与反相输出电路电连接;所述充放电电路一端与所述充放电控制电路及反相输出电路连接端相连,所述充放电电路另一端与地相连。
本实用新型提供的脉宽抑制电路通过设计不同的电容充放电时间,可以消除不同脉宽范围内的窄脉冲,抑制窄脉冲对音频功率放大器内部的影响,结构简单,且占用很小的版图面积。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例提供的脉宽抑制电路的电路图;
图2是本实用新型第一实施例提供的脉宽抑制电路的时域波形图;
图3是本实用新型第二实施例提供的脉宽抑制电路的电路图;
图4是本实用新型第三实施例提供的脉宽抑制电路的电路图;
图5是本实用新型第四实施例提供的脉宽抑制电路的电路图;
图6是本实用新型第五实施例提供的脉宽抑制电路的电路图;
图7是现有技术中提供的音频功率放大器的结构示意图;
图8是本实用新型实施提供的音频功率放大器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。
如图1所示,本实用新型提出第一实施例:
本实用新型提供一种脉宽抑制电路10,所述脉宽抑制电路10包括充放电电路12、控制充放电电路12充放电时间的充放电控制电路11、具反相输出的反相输出电路13;
所述充放电控制电路11与反相输出电路13电连接;所述充放电电路12一端与所述充放电控制电路11及反相输出电路113连接端相连,所述充放电电路12另一端与地相连。
充放电电路12包括第五MOS管M5,第五MOS管M5的栅极与充放电控制电路11的输出端、反相输出电路13的输入端相连,第五MOS管M5的源极和漏极相连到地。所述充放电电路可以用所有能实现电容功能的器件,如MIP电容,PIP电容,MOS电容等。
反相输出电路13包括第三MOS管M3和第四MOS管M4,第三MOS管M3与第四MOS管M4的栅极相连构成反相输出电路13的输入端,第三MOS管M3的源极与电源相连,第四MOS管M4的源极与地相连,第三MOS管M3的漏极与第四MOS管M4的漏极相连构成反相输出电路13的输出端(Dout)。
充放电控制电路11包括:第一MOS管M1和第二MOS管M2,第一MOS管M1与第二MOS管M2的栅极相连构成充放电控制电路11的输入端(Din),第一MOS管M1的源极与电源相连,第二MOS管M2的源极与地相连,第一MOS管M1的漏极与二MOS管M2的漏极相连构成充放电控制电路11的输出端。
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