[实用新型]薄膜晶体管阵列基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种液晶显示装置的阵列基板，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

液晶显示器(liquid crystal display，LCD)是目前最被广泛使用的一种平面显示器，具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。一般而言，LCD的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极线(gate line，又称扫描线)与两条数据线(data line)交叉所定义的矩形或者其他形状区域，其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。

然而在TFT-LCD中，薄膜晶体管阵列基板的制造工艺复杂，因为在制造过程中涉及到半导体工艺制程，需要多个掩模工艺，因此在制造薄膜晶体管时，最重要的考虑之一就是减少制造工艺步骤，进而降低制作成本。特别是，在制造工艺中所使用的光罩成本较高，因此若能减少光罩数目，则可有效降低制造成本。TFTLCD阵列基板的制造技术经历了从七道光罩技术发展到目前的五道光罩、四道光罩技术的发展过程。然而为了简化工艺步骤和节省制造成本，本领域技术人员仍然期望以更少的光掩膜数目来达到薄膜晶体管的同样效能。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管阵列基板，能够采用三道光罩制成，从而简化制造工艺、降低制造成本。

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括一绝缘基板、交叉排列的栅极线和数据线、形成于栅极线和数据线交叉位置的薄膜晶体管、由栅极线和数据线分隔区域限定的像素电极，所述栅极线形成于第一金属层、所述数据线形成于第二金属层，所述像素电极形成于透明导电层，在第一金属层和第二金属层之间依次沉积有一栅绝缘层、一有源层和一欧姆接触层，其中，所述栅极线和/或数据线呈断续状分布，所述第一金属层还形成有栅极接垫，所述第二金属层还形成有数据接垫，所述透明导电层还形成有和所述栅极接垫和/或数据接垫电接触的透明电极。

本实用新型对比现有技术有如下的有益效果：本实用新型提供的薄膜晶体管阵列基板只需三道光罩就能制成，降低了生产成本。另外，由于曝光次数的减少，每次曝光之间的误差也减少了，提高了产量和成品率。

附图说明

图1A为本实用新型沉积了第一金属层、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、第二金属层及涂覆光刻胶层后基板的截面图。

图1B为本实用新型采用第一道光罩进行掩模、曝光和显影后得到的图案。

图1C为图1B中无光刻胶覆盖区域进行刻蚀后得到的图案。

图1D为光刻胶减薄后得到的图案。

图1E为栅极接垫区和储存电容区进行刻蚀后得到的图案。

图1F为光刻胶第二次减薄后得到的图案。

图1G为薄膜晶体管沟道区进行刻蚀后得到的图案。

图1H为本实用新型第一道光罩光刻胶剥离后得到的图案。

图2为本实用新型第二道光罩形成钝化层后的图案。

图3为本实用新型第三道光罩形成像素电极后的图案。

图4为本实用新型一像素结构图案。

图5为本实用新型另一像素结构图案。

图中

1 基板          2 掩膜板              3 光刻胶层

11 栅极接垫区   12 薄膜晶体管区       12a 像素连接区

13 存储电容区   14 数据接垫区         21a 第一透光区

21b 第一透光区   21c 第一透光区        22a 第二透光区

23a 第三透光区  23b 第三透光区        24a 第四透光区

24b 第四透光区  24c 第四透光区        24d 第四透光区

24e 第四透光区           31 光刻胶图形            32 光刻胶图形

33 光刻胶图形            40 栅极                  41 数据线

42 源极                  43 漏极                  44 栅极线

45 像素电极              46 栅极接垫              47 数据接垫

101 第一金属层            102 栅绝缘层             103 有源层