[实用新型]液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 200820155429.8 申请日: 2008-11-17
公开(公告)号: CN201289562Y 公开(公告)日: 2009-08-12
发明(设计)人: 秦丹丹 申请(专利权)人: 上海广电光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1337
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 白璧华
地址: 200233上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种液晶显示面板,尤其涉及一种能改善配向层台阶处漏光现象的液晶显示面板。

背景技术

液晶显示装置一般包括有第一基板、第二基板及填充在第一基板和第二基板之间的液晶层;第二基板上的显示区域包含多个子像素区域,每个子像素区域一般为两条栅极线(gate line,又称扫描线)与两条数据线(data line)交叉所定义的矩形或者其他形状区域,其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极,薄膜晶体管充当开关元件;第一基板上形成有公共电极(IPS液晶显示模式除外),在上下基板的电极上形成有配向层,使液晶分子在不加电状态下保持一定取向。第二基板的像素电极与第一基板的公共电极之间形成电场,电场强度的变化可以对液晶分子的取向进行调制,从而使背光源实现透过率的变化,形成图案显示。第一基板还包括具有遮光效果的黑矩阵(BM)和具有透光效果的色阻层。

目前应用于电脑显示器和小尺寸电视方面的液晶显示模式主要是TN(TwistedNematic;扭曲向列型)模式。图1为为现有的TN型液晶显示模式的像素结构示意图。相邻两条栅极线123、124与相邻两条数据线121、122交叉限定的区域125为像素电极,该像素电极125与公共电极126及其遮光线127形成储存电容,用来保持像素电压,黑矩阵111设置在第一基板上,用来遮蔽多个薄膜晶体管128及多条栅极线、数据线与公共电极。

图2为沿图1中1A-1A’线的剖面示意图。液晶显示面板包括相对设置的第一基板110、第二基板120及填充在第一基板110和第二基板120之间的液晶层130,第一基板110上设置有黑矩阵111,定义出多个子像素区,用于阻止光线进入非像素区域内,并分割接续制作的色阻层112,以增加色彩对比性,子像素内设置有R、G、B色阻层;第二基板120的显示区域包括多个子像素区,子像素内设置有遮光线127a、127b及像素电极125。

在第一基板110的公共电极113上和第二基板120的像素电极125上设置有配向层114和129,经过摩擦处理后对液晶进行配向,因为基板上数据线、遮光线等的存在而形成的段差,从而使得配向层上形成有台阶,在台阶处液晶的倾斜角度和其他地方不同。请参考图2,在像素电极125上的配向层129具有多个台阶部分129a、129b,该台阶部分具有预定的台阶差,像素区域中的台阶部分会导致这些区域附近液晶的不一致配向。

如果液晶处于常黑模式,则在未施加电压时显示黑色。然而,当未施加选通电压时,由于台阶区域129a、129b液晶的不一致配向,则会产生漏光。

另外,假设摩擦方向如图中所示,则逆台阶区域的液晶129b将具有比顺台阶区域129a的液晶更大的预倾角,逆台阶区域129b更容易形成漏光。中国专利CN200710161754.5针对IPS模式液晶显示装置台阶区域漏光的问题,提出从连接端朝向开口端的方向实施摩擦处理。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板,可以改善像素电极上的配向层台阶处的漏光现象。

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种液晶显示面板,包括:

一彩膜基板:包括第一基板,所述第一基板上形成有黑矩阵和配向层;

一阵列基板:包括第二基板,所述第二基板上形成有呈矩阵状分布的像素电极,所述像素电极上形成有配向层,所述像素电极上的配向层沿着摩擦处理方向形成有多个顺台阶区域和逆台阶区域;

其中,所述逆台阶区域所对应的黑矩阵具有比所述顺台阶区域所对应的黑矩阵更大的遮光面积。

上述的液晶显示面板,其中,所述逆台阶区域的液晶分子比所述顺台阶区域的液晶分子具有更大的预倾角。

本实用新型对比现有技术有如下的有益效果:本实用新型提供的液晶显示面板,由于对逆台阶区域使用更大的黑矩阵遮光面积,可以改善像素电极上的配向层台阶处的漏光现象。

附图说明

图1为现有的TN型液晶显示模式的像素结构示意图。

图2为沿图1中1A-1A’线的剖面示意图。

图3为本实用新型的像素的结构示意图。

图4为沿图3中2A-2A’线的剖面示意图。

图中:

110 第一基板      111,111a,111b 黑矩阵      112 色阻层

113 公共电极      114 配向层                  120 第二基板

121,122 数据线   123,124 栅极线             125 像素电极

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海广电光电子有限公司,未经上海广电光电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820155429.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top