[实用新型]液晶显示面板有效
申请号: | 200820155430.0 | 申请日: | 2008-11-17 |
公开(公告)号: | CN201289563Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 秦丹丹 | 申请(专利权)人: | 上海广电光电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人: | 白璧华 |
地址: | 200233上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种液晶显示面板,尤其涉及一种能改善画面显示品质的液晶显示面板。
背景技术
液晶显示器(liquid crystal display,LCD)是目前最被广泛使用的一种平面显示器,具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。一般而言,LCD的显示区域包含多个子像素区域,每个子像素区域一般为两条栅极线(gate line,又称扫描线)与两条数据线(data line)交叉所定义的矩形或者其他形状区域,其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极,薄膜晶体管充当开关元件。通过在像素中设置TFT形成有源矩阵液晶显示器,适合大画面、高分辨率、多灰度的液晶显示元件。
图1为一现有技术的液晶显示面板的结构示意图。该液晶显示面板包括一阵列基板110、一与该阵列基板相对设置的彩膜基板120和一位于该两个基板之间的液晶层130、一扫描驱动电路(未示出)和一数据驱动电路(未示出)。
该阵列基板110包括一第一基底111,一栅极绝缘层112,一钝化层113,由多个栅极115、源极116和漏极117构成的多个薄膜晶体管,多个像素电极114和多个公共电极118。其中多个像素电极114、多个公共电极118及其间的栅极绝缘层112和钝化层113共同构成多个储存电容Cs。
该彩膜基板包括一第二基底121和一共通电极122。
该阵列基板110和该彩膜基板120的公共电极电连接,阵列基板的像素电极114、彩膜基板的共通电极122及位于其间的液晶分子130共同构成液晶电容CLC。
请一并参阅图2,是该液晶显示面板中一像素单元的等效电路图。其中相邻两条栅极线Gn、Gn+1和相邻两条数据线Dn、Dn+1交叉所限定的区域为该像素区。Cgd为该薄膜晶体管的栅极115与漏极117之间的寄生电容,COM为公共电极。
薄膜晶体管的寄生电容Cgd会在该薄膜晶体管关闭时,产生一馈通电压(Feed-through Voltage,VFD)到该像素电极,使该像素电极的电压发生扭曲。该馈通电压VFD可表示为:
其中△V为晶体管打开与关闭时栅极上电压的变化。
该馈通电压使该像素电极的电压下降,目前一般采用下调公共电压的方法来克服该像素电极的电压下降。然而,由于液晶分子的介电常数随着其两端电压的增大而增大,因而液晶电容CLC的电容值会随着其两端电压的增大而增大,使得不同灰阶下的VFD大小不同,从而使得该公共电压的下调量无法确定。目前,该公共电压的下调量是通过一中间灰阶电压产生的VFD而确定,该下调量并不能符合中间灰阶以外的其它灰阶,导致该液晶面板的画面品质较差。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板,可以补偿储存电容,提高画面显示品质。
本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种液晶显示面板,包括:
一彩膜基板:包括第一基底,所述第一基底上形成有共通电极;
一阵列基板:包括第二基底,所述第二基底上依次形成有第一金属层,栅极绝缘层,钝化层以及像素电极,所述第一金属层上形成有栅极和公共电极;
其中,所述阵列基板上还形成有压电层,所述压电层位于所述公共电极的上方。
上述的液晶显示面板,其中,所述压电层位于第一金属层和栅极绝缘层间。
上述的液晶显示面板,其中,所述压电层位于栅极绝缘层和钝化层间。
上述的液晶显示面板,其中,所述压电层位于钝化层和像素电极间。
上述的液晶显示面板,其中,所述压电材料为压电陶瓷、强介铁电陶瓷或压电高分子。
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