[实用新型]光掩模

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别涉及光刻工艺中的光掩模。

背景技术

随着半导体制造技术的改进，器件尺寸也向深亚微米发展，对器件质量精度的要求也越来越严格。其中，对器件质量精度的影响最大的就是光刻的质量。光刻，简单来说就是将光掩模上的图形转移到晶圆上的过程。因而，光掩模的质量也直接影响着光刻的质量。

目前主要的光掩模类型有二进制强度光掩模和衰减式相位移光掩模。传统的二进制强度光掩模的制造方法举例如下：将光掩模的图形数据输入曝光设备；提供一片镀有不透光铬金属膜的石英玻璃基板(统称“基片”)；在基片上涂正光阻，根据图形数据，利用曝光设备对基片进行曝光，形成曝光图形；进行显影步骤，曝光区的光阻在此步骤中被移除；利用未被移除的光阻做保护，用干法蚀刻对铬膜进行蚀刻，将具有曝光图形的铬金属膜移除，将曝光图形转移到铬金属膜上；再将光阻移除，就在基片上形成了光掩模图形。之后再进行清洗、缺陷检验等，并在基片上粘接一个框架，在框架之上粘接一层覆盖光掩模图形的透光薄膜之后，就完成了二进制强度光掩模的制作。在例如申请号为200510008205.5的中国专利申请中还能发现更多与此相关的信息。

而衰减式相位移光掩模的基片一般包括石英玻璃基板，镀于基板上作为相位移层的硅化钼(MoSi)以及镀于相位移层上的不透光的铬金属层。在制造过程中，跟二进制光掩模一样经过之前所述的步骤在不透光的铬金属膜上形成图形后，利用未被移除的铬金属膜作保护进行干法蚀刻，移除掉相位移层，再将铬金属膜移除，从而在基片上形成了具有相位移衰减的图形。之后再进行清洗、缺陷检验等，并在基片的图形区域上粘接一个支撑框架，在支撑框架之上粘接一层覆盖相位移衰减图形的透光薄膜之后，就完成了衰减式相位移光掩模的制作。

然而，在光掩模应用于光刻一段时间后发现，有透光率较低的缺陷颗粒沉积于光掩模表面，影响曝光时光的透光率，从而影响光刻质量。

实用新型内容

本实用新型提供一种光掩模，解决由于缺陷颗粒沉积于光掩模表面而影响光刻质量的问题。

为解决上述问题，本实用新型提供一种光掩模，包括：与光掩模的透光基底连接形成密闭空间的框架，所述密闭空间充满可溶解缺陷颗粒且不会腐蚀光掩模图形的溶剂，所述光掩模图形浸没在所述溶剂之中，所述框架包括相对光掩模图形设置的透光部件。

与现有技术相比，上述所公开的光掩模具有以下优点：通过框架与透光基底连接形成密闭空间，所述密闭空间充满可溶解缺陷颗粒且不会腐蚀光掩模图形的溶剂，且所述光掩模图形浸没在所述溶剂之中，从而防止光掩模表面产生缺陷颗粒沉积。并且，由于光掩模表面不会产生缺陷颗粒沉积，从而延长了光掩模的使用寿命，减少了更换光掩模所需的成本。

附图说明

图1是本实用新型光掩模的一种实施方式图。

具体实施方式

在光掩模的制作过程中，使用的化学液，例如硫酸，会残留在基片中。而空气中的氨气、框架和透光薄膜以及粘接框架与基片、框架与透光薄膜的粘胶所释放出的气体等与空气中的二氧化碳气体以及残留在基片中的硫酸根离子，在光掩模的运输、存储以及曝光过程中会发生反应，生成含有铵根离子的盐类物质并沉积在光掩模表面，形成雾状缺陷(Haze)。由于这些雾状缺陷透光率较低，将影响曝光时光的透光率，从而影响光刻质量。

基于此，根据本实用新型光掩模的一种实施方式，通过将框架与光掩模的透光基底连接，形成与外界隔离的密闭空间，所述密闭空间充满可溶解雾状缺陷且不会腐蚀光掩模图形的溶剂，且所述光掩模图形浸没在所述溶剂之中，从而使得光掩模表面无雾状缺陷。

参照图1所示，本实用新型光掩模的一种实施方式包括：

与光掩模的透光基底10连接的半封闭框架30，所述半封闭框架30包括透光部件302、与透光部件302四周相连接的框架支撑体301。所述支撑体301与所述透光基底10连接，所述透光部件302位于透光基底10上方，其透光范围覆盖光掩模图形20。所述半封闭框架30与透光基底10构成密闭空间303，所述密闭空间303内充满可溶解雾状缺陷且不会腐蚀光掩模图形20的溶剂，而光掩模图形20则浸没于所述溶剂内。