[实用新型]半导体硅片清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种工业清洗装置，特别涉及一种应用在半导体硅片的清洗装置。

背景技术

伴随集成电路制造工艺的不断进步，半导体器件的体积正变得越来越小，这也导致了非常微小的颗粒也变得足以影响半导体器件的制造和性能，所以，硅片清洗工艺也变得越来越重要。目前的清洗方法主要有两种：批次清洗和单片式清洗。单片式清洗方法由于可以更好的控制药液在硅片表面的分布，同时硅片自身高速旋转也使得硅片表面的药液具有更高的相对速度，因此单片式清洗方法具有化学品消耗量少的优点，始终都使用全新的化学品，能够有效防止交叉污染，清洗效果更强以及工艺稳定性更好。因此，在先进的集成电路制造工艺中，单片式清洗方式正越来越成为主要的清洗方式。

半导体芯片制造工艺对于清洗的要求变得越来越高，同时成本压力也越来越大，因此，在确保清洗效率的前提下，高效率且低成本的硅片清洗工艺就成为了一个重要的制造环节。但是，目前业界广泛采用的单片式清洗方法中，每一个工艺腔一次只能清洗一枚硅片，要增加设备的产能，就必须增加更多的工艺腔，设备成本很高，相对于一些批次浸没式清洗设备，同等腔体体积的单片式清洗设备的，其产能有明显的差距。因此，需要提出一种更高效率的单片式清洗设备。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种半导体硅片清洗装置，使单个工艺腔能以单片清洗的方式同时处理多枚硅片。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体硅片清洗装置，包括腔体，所述腔体底部连接有一旋转平台，所述旋转平台中嵌设有超声波发生装置，其特征在于，所述旋转平台上对应于超声波发生装置上方的位置设有若干用于支撑并固定硅片的支架，所述超声波发生装置设有若干出水孔，所述腔体顶部设有若干喷嘴。

进一步的，所述旋转平台直径为20～50英寸。

进一步的，所述旋转平台上放置2～6枚硅片，所述硅片尺寸为4～12英寸。

进一步的，所述旋转平台转速为500～3000转/分钟。

进一步的，所述超声波发生装置工作频率为0.25～2兆赫兹，投射到硅片背面的功率为0.5～5瓦特/平方厘米。

进一步的，所述出水孔直径为1/4～1/2英寸。

进一步的，所述喷嘴的喷洒方式为高压喷洒或无压重力下流方式。

进一步的，所述硅片以真空吸附的方式固定于所述支架上。

与现有技术的单片式清洗相比，本实用新型通过在旋转平台上设置有固定若干个硅片的装置进行清洗，使单个工艺腔能以单片清洗的方式同时处理多枚硅片，在占地面积和其他成本增加不多的情况下，使设备的产能成倍增加，提升了生产率。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式对本实用新型的半导体清洗装置作进一步的详细说明。

图1是本实用新型半导体硅片清洗装置的俯视图；

图2是图1沿A-A截面的剖视图。

具体实施方式

请参阅图1以及图2所示的半导体硅片清洗装置，包括腔体1，所述腔体1底部连接有一旋转平台5，所述旋转平台5与外部电机(未标示)连接，通过外部电机驱动所述旋转平台5进行旋转，所述旋转平台5上设有若干用于支撑并固定硅片的支架3，所述支架3可以通过真空吸附的方式将硅片2吸附，从而所述硅片2可以跟随所述旋转平台5一起转动，所述旋转平台5中嵌设有超声波发生装置4，当所述旋转平台5以及所述支架3围绕所述旋转平台5的轴心旋转时，所述超声波发生装置4固定不动，所述超声波装置4对应所述硅片2的位置处设有若干出水孔6，所述出水孔6可以根据所述硅片2的大小以及固定在所述支架3上的位置而调整，所述出水孔6直径为1/4～1/2英寸，本实施例中，所述出水孔6为8个，优选地，所述出水孔6以所述旋转平台5的轴心为圆心、以所述旋转平台5轴心到所述硅片2中心位置的距离为半径呈等角度分布在所述超声波发生装置4内，从而达到更好的清洗效果。在所述腔体1顶部设有若干喷嘴7用于喷洒清洗剂以及干燥气体，所述喷嘴7可根据所述旋转平台5旋转平面的大小以及所述硅片2需要清洗的清洗剂的种类而设定，本实施例中，所述喷嘴7为9个。

所述旋转平台5上可以放置2～6枚所述硅片2，本实施例中，所述硅片2数量为4枚，由位于所述旋转平台5上的所述支架3将所述硅片2吸附并固定，所述硅片2的尺寸为4～12英寸，所述旋转平台5的大小可以根据放置所述硅片2的数量以及所述硅片2尺寸来决定，其直径范围为20～50英寸。