[实用新型]合金材料的嵌入式结构有效
| 申请号： | 200820158208.6 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN201355615Y | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 吴关平;万旭东;冯高明;徐成;杨左娅;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 翟 羽 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 合金材料 嵌入式 结构 | ||
1.一种合金材料的嵌入式结构，包括：
衬底；
位于衬底的表面之介质层，所述介质层表面具有凹槽；以及
合金材料嵌入岛，所述合金材料嵌入岛镶嵌于所述介质层的凹槽中，所述合金材料嵌入岛位于介质层表面以下的部分与凹槽的侧壁和底面贴合；
其特征在于：所述合金材料嵌入岛位于介质层表面以下的部分的截面包括一矩形和一梯形，所述矩形的一个边与介质层的表面处于同一水平高度，所述矩形的另一个边与梯形的底边重合，所述梯形两底边中，与矩形重合的底边的长度大于另一底边的长度。
2.根据权利要求1所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述合金材料为相变合金材料。
3.根据权利要求1所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述相变合金材料为锗锑碲合金。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述梯形为等腰梯形。
5.根据权利要求1～3任意一项所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述合金材料嵌入岛进一步包括位于介质层表面以上的突出结构，所述位于介质层表面以上部分的突出结构沿与介质层表面平行方向的长度大于凹槽的开口部位的宽度，且加长部分的下边缘与介质层的表面贴合。
6.根据权利要求1～3任意一项所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述凹槽开口处的宽度范围是0.5微米至0.6微米。
7.根据权利要求1～3任意一项所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述梯形的长底边的长度范围是0.4微米至0.5微米，短底边的长度范围是0.2微米至0.3微米。
8.根据权利要求1～3任意一项所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述用于容置合金材料的凹槽的深度范围是100纳米至200纳米。
9.根据权利要求1～3任意一项所述的合金材料的嵌入式结构，其特征在于，所述介质层的材料选自于氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种。
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