[实用新型]低老化率小型高稳恒温晶振无效

专利信息
申请号: 200820158437.8 申请日: 2008-09-10
公开(公告)号: CN201282448Y 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 单涨国 申请(专利权)人: 长沙太阳人电子有限公司
主分类号: H03B5/36 分类号: H03B5/36;H03B5/04
代理公司: 长沙市融智专利事务所 代理人: 颜 勇
地址: 410205湖南省长沙市岳麓*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 老化 小型 恒温
【权利要求书】:

1、一种低老化率小型高稳恒温晶振,其特征在于,包括晶体振荡电路,所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成;所述的主振级电路中的振荡管为场效应管。

2、根据权利要求1所述的低老化率小型高稳恒温晶振,其特征在于,还包括控温电路,所述控温电路由直流电桥、运算放大器和直流功率放大器依次串接组成;所述的直流电桥内包含有热敏电阻,在所述直流功率放大器上设置有导热片,所述的热敏电阻设置在导热片上;所述温控电路根据热敏电阻输出信号来控制所述的直流功率放大器。

3、根据权利要求1所述的低老化率小型高稳恒温晶振,其特征在于,所述的匹配网络为使得主振级与幅度放大器之间达到阻抗最佳匹配的高通滤波器。

4、根据权利要求1所述的低老化率小型高稳恒温晶振,其特征在于,所述的幅度放大器采用场效应管作为放大器。

5、根据权利要求1~4任一项所述的低老化率小型高稳恒温晶振,其特征在于,所述的输出电路中设有并联谐振回路。

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