[实用新型]一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台无效
申请号: | 200820159479.3 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN201352192Y | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 周灵平;徐兴龙;张鹏;曾雄;周淼;朱家俊;李绍禄 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 | 代理人: | 马 强 |
地址: | 410082*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 真空设备 材料 表面 改性 样品 | ||
技术领域
本实用新型涉及粉体材料表面改性技术,进一步是指用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台。
背景技术
近年来,随着电子信息技术的飞速发展,电子元器件不断向小型化、轻量化和高性能化发展,从而对电子封装材料的要求越来越高,金属基复合材料随之成为电子封装材料的发展方向。高性能复合材料由各种高性能增强体与基体组成,电子封装材料对导热性能要求很高,所采用的增强体均要求很高导热率,如碳纤维、SiC、碳纳米管和金刚石等,但这些材料与金属基体浸润性差,其界面不能很好地复合,严重影响了其高性能的发挥,因此常常需要对这些粉体增强材料进行表面改性处理。
目前结构用复合材料通常采用化学方法(如化学镀等)对增强体表面进行改性处理,但化学方法一般要对粉体材料表面进行敏化和活化预处理,这样在涂层中会引入Sn、Pd等杂质,而且化学方法制备的涂层比较疏松,涂层与粉末结合不够牢固,同样会增加界面热阻,不能有效提高复合材料的热导率,有时涂层比基体材料的热导率还要低得多。因此采用物理方法对粉体材料表面进行改性成为一种理想的选择。但目前广泛使用的物理气相沉积(PVD)设备多只能对块体样品进行加工,并且是一种视线加工,常规样品台承载的粉末只能在当着溅射粒子束的一面被改性。若要实现对粉末颗粒进行表面均匀改性,就必须设计粉末专用的样品台。
要实现对粉末表面均匀地改性,最关键的问题就是如何让所有的粉末都流动起来。这就决定粉末专用样品台的结构与常规块样样品台不同,应包括能装粉末的盛器和搅拌装置。韩国科学技术研究院高锡勤等人实用新型了“用离子束对聚合物,金属和陶瓷材料进行表面改性的装置”(专利号:CN200410074975.5),它公开了一种用离子束(IB)对聚合物、金属和陶瓷材料进行表面改性的装置,该装置能够提供并控制一种施加于材料上进行表面改性的电压(220V)以控制照射到该材料上的离子束的能量,能够区别在部分真空室中的反应气体的真空度,在该真空室中离子束从产生离子束的部分照射,而且该装置也能够用于两面照射处理和连续处理;由于该设备的搅拌装置是叶片结构,三个叶片形状、大小以及所起的作用都是一样的,设计制造上述结构的搅拌装置进行试验时发现,搅拌过程中经常使粉末溢出样品台,而且搅拌不均匀,使粉末颗粒不能均匀镀膜。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,针对现有技术存在的缺陷,提出一种用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台,它通过对粉末进行特定搅拌实现对粉体材料表面进行全方位均匀改性。
本实用新型的技术方案是,所述用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台包括盛器,所述盛器为一平底周边设有挡边的敞口容器,且该盛器在工作时绕平底的垂直轴心线旋转,其结构特点是,所述盛器的容腔中设有不随盛器旋转的搅拌器,该搅拌器由底部刮片和中部搅片、上部漏片组成并错位分布;所述底部刮片为一板面相对盛器平底为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底表面,中部搅片为一板面相对盛器平底为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与所述底部刮片较长的上侧边相交,所述上部漏片为一板面相对盛器平底为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片较长的上侧边相交。
以下对本实用新型做出进一步说明。
参见图1,本实用新型所述用于真空设备对粉体材料表面改性的样品台包括盛器1,所述盛器1为一平底2周边设有挡边3的敞口容器,且该盛器1在工作时绕平底的垂直轴心线a旋转,其结构特点是,所述盛器1的容腔中设有不随盛器旋转的搅拌器,该搅拌器由底部刮片4和中部搅片5、上部漏片6组成并错位分布(即不重叠);所述底部刮片4为一板面相对盛器平底2为斜面的长条形平板且其较长的下侧边平行于所述平底2表面,中部搅片5为一板面相对盛器平底2为垂直的长条形平板且其较长的下侧边与所述底部刮片4较长的上侧边相交,所述上部漏片6为一板面相对盛器平底2为垂直并有梳齿结构的长条形平板且其较长的齿形下侧边与中部搅片5较长的上侧边相交。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学,未经湖南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820159479.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。