[实用新型]变频器驱动模块中IGBT替代结构

权利要求书

1、一种变频器驱动模块中IGBT替代结构，其特征在于包括整流桥和分别由两个功率单管组成三路桥臂，所述上桥臂功率单管的的集电极接到直流母线P上，下桥臂功率单管发射集接到直流母线N上，上桥臂功率单管的发射集接到下桥臂功率单管的集电极上作为变频器的输出端，上桥臂和下桥臂的栅集分别连接脉冲驱动信号，由上述三路桥臂模拟出变频器的三相输出。

2、如权利要求1所述变频器驱动模块中IGBT替代结构，其特征在于还包括变频器脉冲驱动线的P端和N端还接有制动单元，所述制动单元包括一功率单管和制动电阻，所述功率单管的集电极接制动电阻，发射集接到直流母线N端。

3、如权利要求1所述变频器驱动模块中IGBT替代结构，其特征在于所述三路桥臂的P端和N端接入无感电容.

4、如权利要求3所述变频器驱动模块中IGBT替代结构，其特征在于所述三路桥臂的功率单管电流承受能力为变频器额定电流的2倍以上。

5、如权利要求4所述变频器驱动模块中IGBT替代结构，其特征在于所述三路桥臂的功率单管附近固定有温度传感器。

6、如权利要求5所述变频器驱动模块中IGBT替代结构，其特征在于每一个功率单管通过镙钉固定在于变频器散热器上。