[实用新型]太阳电池等离子刻蚀模具

说明书

技术领域

本实用新型公开了一种太阳电池等离子刻蚀模具，属于太阳电池刻蚀设备技术领域。

背景技术

太阳电池实际上是一个面积比较大的非线性PN结，在制作过程中，需要将扩散工序中形成的硅边缘P-N结去除，否则，将导致电极正负极之间并联电阻过小，影响电池的输出特性。大规模生产中，一般用四氟化碳在高频电场中电离出氟离子与Si反应生成SiF₄的方式来去除边缘PN结。

现有的太阳电池等离子刻蚀模具，主要由底盘、底板、盖板、加压装置组成。刻蚀时，先将底板置于底盘上，再将数片硅片叠层置于底板上，接着于最顶端的硅片上放置盖板，再用加压装置通过盖板对整叠硅片进行压紧，最后充入四氟化碳气体进行刻蚀，以去除边缘PN结。实践证明，位于下端部分的硅片，尤其是底端部分的硅片，存在刻蚀不全、不均匀的问题。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供了一种可将整叠硅片的边缘PN结，全面、均匀刻蚀完全的太阳电池等离子刻蚀模具。

为了实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案为：

一种太阳电池等离子刻蚀模具，包括底盘、底板、盖板、加压装置，所述底盘与底板之间设置有不少于三个的支撑柱，且所有支撑柱等高。

作为上述方案的进一步设置，所述支撑柱固定安装于底盘上。

所述支撑柱为三个，且均匀分布于底盘上。

所述支撑柱为圆柱体。

所述支撑柱选用不锈钢制成。

所述底盘呈圆形。

采用上述方案后，本实用新型在底盘与底板之间设置有不少于三个的支撑柱，且所有支撑柱等高，如此设计以后，支撑柱将底盘与底板之间隔离开一定的距离，有利于刻蚀气体(如四氟化碳气体)环流通过整叠硅片，使整叠硅片的边缘PN结，全面、均匀的被刻蚀完全，尤其解决了位于底端部分的硅片，刻蚀不全、不均匀的问题。

以下结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为图1撤掉底板、盖板后的结构示意图；

图3为本实用新型工作状态的结构示意图。

具体实施方式

如图1、图2、图3所示，本实用新型太阳电池等离子刻蚀模具，包括底盘1、底板3、盖板4、加压装置5，此为现有太阳电池等离子刻蚀模具的结构。

本案的改进点是：底盘1与底板3之间设置有不少于三个的支撑柱2，且所有支撑柱2等高。如此设计以后，支撑柱2将底盘1与底板3之间隔离开一定的距离，有利于刻蚀气体(如四氟化碳气体)环流通过整叠硅片6，使整叠硅片6的边缘PN结，全面、均匀的被刻蚀完全，尤其解决了位于底端部分的硅片6，刻蚀不全、不均匀的问题。

作为本案的进一步优选，支撑柱2固定安装于底盘1上。当然也可将支撑柱2固定安装于底板3的底端，或者是直接放置于底盘1与底板3之间。

为了简化结构，同时又能达到良好的效果，本实施例优选了三个支撑柱2的结构设计，且该三个支撑柱2均匀分布于底盘1上，其中底盘1为圆形。

为了进一步提高整体性能，支撑柱2为选用不锈钢制成的圆柱体。不锈钢材料，结构牢固，热膨胀系数低。

刻蚀时，先将底板3置于底盘1的三个支撑柱2上，再将数片硅片6叠层置于底板3上，接着于最顶端的硅片6上放置盖板4，再用加压装置5通过盖板4对整叠硅片6进行压紧，最后充入四氟化碳气体进行刻蚀，以去除边缘PN结。

上述实施例仅用于解释说明本实用新型的发明构思，而非对本实用新型权利保护的限定，凡利用此构思对本实用新型进行非实质性的改动，均应落入本实用新型的保护范围。