[实用新型]基板处理装置无效
申请号: | 200820179387.1 | 申请日: | 2008-12-04 |
公开(公告)号: | CN201417757Y | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 广城幸吉;山本秀幸;竹下和宏;户岛孝之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B08B3/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;杨松龄 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,将基板浸入贮存的处理液中而进行基板的处理,其特征在于,
设有:至少具有相向配置的一对侧壁的处理槽;以及
分别对应于所述一对侧壁而设、向所述处理槽内供给处理液的一对处理液供给机构,
所述一对处理液供给机构构成为:向连接所述一对侧壁的宽度方向上的所述处理槽内的中央侧供给处理液,由此在所述处理槽内所述宽度方向的中央区域形成上升流,
所述一对侧壁的各自的内壁面包括本体部、位于所述本体部上方的突出部以及位于最上方、形成所述处理液溢出的排出口的排出导向部,
所述排出导向部向上且朝所述宽度方向的中央侧的对侧倾斜,
所述突出部包括在所述宽度方向上比所述本体部的上方端部和所述排出导向部的下方端部更靠近所述中央侧的内端部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述突出部的所述内端部,在所述基板容纳在所述处理槽内时,位于所述基板的上方端部的上方。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述突出部具有向上且朝所述宽度方向的所述中央侧倾斜的内方倾斜部和位于内方倾斜部的上方、向上且朝所述宽度方向的所述中央侧的对侧倾斜的外方倾斜部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排出导向部与突出部邻接而配置,
所述排出导向部从所述突出部的所述外方倾斜部的上方端部伸出。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排出导向部的下方端部相对于所述宽度方向的倾斜角,小于所述突出部的外方倾斜部的上方端部相对于所述宽度方向的倾斜角。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排出导向部的下方端部相对于所述宽度方向的倾斜角,等于所述突出部的外方倾斜部的上方端部相对于所述宽度方向的倾斜角。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述突出部的外方倾斜部的上方端部相对于所述宽度方向的倾斜角为5°以上、70°以下。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述排出导向部的下方端部相对于所述宽度方向的倾斜角为5°以上、70°以下。
9.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述突出部与所述本体部邻接而配置,
所述突出部的所述内方倾斜部从所述本体部的上方端部伸出。
10.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述突出部还具有配置在所述内方倾斜部与所述外方倾斜部之间、连接所述内方倾斜部和所述外方倾斜部的中间部。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述突出部构成为:使成为所述上升流、到达所述处理槽内的上方区域,然后在所述宽度方向上从所述中央侧流向所述侧壁一侧的处理液,分流为从所述排出口排出的处理液和在所述处理槽内环流的处理液。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
所述突出部构成为:使从所述排出口排出的处理液,在作为所述上升流在所述处理槽内上升时,比在所述处理槽内环流的处理液在所述宽度方向上更靠近所述中央侧流动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造