[实用新型]射频信号前置放大电路无效

专利信息
申请号: 200820180457.5 申请日: 2008-12-03
公开(公告)号: CN201319582Y 公开(公告)日: 2009-09-30
发明(设计)人: 陈志明;杜坦;石万文;江石根 申请(专利权)人: 苏州市华芯微电子有限公司
主分类号: H03F3/195 分类号: H03F3/195;G08C17/02
代理公司: 北京华夏博通专利事务所 代理人: 安纪平
地址: 215011江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 射频 信号 前置 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种射频信号前置放大电路,其特征在于:该放大电路包括第一MOS晶体管(M1),第MOS晶体管(M2),第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4),其中第一MOS晶体管(M1)及第二MOS晶体管(M2)的栅极相互连接在一起,以形成差分放大对而对输入信号进行放大;第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)的漏极分别与第一MOS晶体管(M1)及第MOS晶体管(M2)的漏极相连,且第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)的源极与栅极也分别连接在一起,同时第四MOS晶体管(M4)的漏极与栅极也相连接以形成电流镜电路;待放大的输入信号(IN)及放大后的输出信号(GG_OUT)分别连接在第一MOS晶体管(M1)的源极及漏极上。

2.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的放大电路还包括复数分别连接在所述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管源极端的电阻。

3.如权利要求2所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述连接在第一MOS晶体管及第二MOS晶体管源极端的电阻阻值相等。

4.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的第一MOS晶体管及第MOS晶体管的尺寸及性能参数相同。

5.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的第三MOS晶体管及第四MOS晶体管的性能参数相同。

6.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的放大电路还包括一对所述的输出信号进行整形的比较器。

7.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的放大电路与一解码器集成至同一IC中。

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