[实用新型]射频信号前置放大电路无效
申请号: | 200820180457.5 | 申请日: | 2008-12-03 |
公开(公告)号: | CN201319582Y | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 陈志明;杜坦;石万文;江石根 | 申请(专利权)人: | 苏州市华芯微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/195 | 分类号: | H03F3/195;G08C17/02 |
代理公司: | 北京华夏博通专利事务所 | 代理人: | 安纪平 |
地址: | 215011江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 信号 前置 放大 电路 | ||
1.一种射频信号前置放大电路,其特征在于:该放大电路包括第一MOS晶体管(M1),第MOS晶体管(M2),第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4),其中第一MOS晶体管(M1)及第二MOS晶体管(M2)的栅极相互连接在一起,以形成差分放大对而对输入信号进行放大;第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)的漏极分别与第一MOS晶体管(M1)及第MOS晶体管(M2)的漏极相连,且第三MOS晶体管(M3)及第四MOS晶体管(M4)的源极与栅极也分别连接在一起,同时第四MOS晶体管(M4)的漏极与栅极也相连接以形成电流镜电路;待放大的输入信号(IN)及放大后的输出信号(GG_OUT)分别连接在第一MOS晶体管(M1)的源极及漏极上。
2.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的放大电路还包括复数分别连接在所述第一MOS晶体管及第二MOS晶体管源极端的电阻。
3.如权利要求2所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述连接在第一MOS晶体管及第二MOS晶体管源极端的电阻阻值相等。
4.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的第一MOS晶体管及第MOS晶体管的尺寸及性能参数相同。
5.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的第三MOS晶体管及第四MOS晶体管的性能参数相同。
6.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的放大电路还包括一对所述的输出信号进行整形的比较器。
7.如权利要求1所述射频信号前置放大电路,其特征在于:所述的放大电路与一解码器集成至同一IC中。
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