[实用新型]发光二极管的封装结构无效
申请号: | 200820181426.1 | 申请日: | 2008-12-17 |
公开(公告)号: | CN201383500Y | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 张正兴;李敏丽;陈国湖 | 申请(专利权)人: | 鋐鑫电光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁 挥;张燕华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
1、一种发光二极管的封装结构,其特征在于,包括:
一载体,其上具有一底座,该底座上设有一正面及背面,该底座的正面上凸设有一围墙,该围墙设有一内壁,该内壁围成一凹穴,于该底座上设有一贯穿孔,该贯穿孔两侧各具有一凹孔;
一导热块,设于该贯穿孔中,该导热块具有第一端面及第二端面,该第一端面外露于该底座的正面,该第二端面外露于该底座的背面;
一电极组,由第一电极及第二电极组成,该第一及第二电极设于该底座内部,该第一及第二电极各设有第一端及第二端,该第一及第二电极的第一端由该底座的正面外露部分电极,该第一及第二电极的第二端由该底座的背面外露;
其中,于该凹穴中的该围墙的内壁及该底座的正面上设有一反射层组,该反射层组由一反射金属层及一保护层组成,该反射金属层设于该凹穴的该围墙的内壁及该底座的正面,该保护层设于该反射金属层的表面上,另于该反射层成形后,在该底座的正面及该围墙的内壁上形成有第一绝缘沟,该第一绝缘沟隔绝第一电极及第二电极接触。
2、根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该载体为陶瓷材料件。
3、根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一端面的表面上设有一第一金属层,该第一金属层的表面设有第二金属层,该第一金属层为镍层,该第二金属层为金层,该第二层金属上电性连结有一发光芯片,该发光芯片电性连结有二金线,该二金线另一端电性连结于该第一电极及第二电极的外露部分电极上。
4、如根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一端外露部分电极的表面上各设有一补强层,再于该二补强层表面上各设有一焊接层,该补强层为镍材料层,该焊接层为金材料层。
5、根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该反射金属层为银材料层。
6、根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该保护层为透明陶瓷或玻璃的任一种材料层。
7、根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该底座底部还包括有一黏着层组,该黏着层组由上层金属层、中间金属层及下层金属层组成,该上层金属层设于该底座的背面上,该中间金属层设于该上层金属层的表面上,该下层金属层设于该中间金属层的表面上;在该黏着层组成形后,在底座的背面上形成有第二绝缘沟,该第二绝缘沟隔绝第一电极及第二电极接触,该上层金属层为银材料层,该中间金属层为镍材料层,该下层金属层为金材料层。
8、根据权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该凹穴内部还设置有封装结构,该封装结构包括注入环氧树脂或硅胶材料而形成的该发光二极管封装结构的透镜。
9、一种发光二极管的封装结构,其特征在于,包括:
一载体,其上具有一底座,该底座上设有一正面及背面,该底座的正面上凸设有一围墙,该围墙设有一内壁,该内壁围成一凹穴,于该底座上设有一贯穿孔,该贯穿孔两侧各具有一凹孔;
一固晶层组,设于该底座的正面;
一电极组,由第一电极及第二电极组成,该第一及第二电极设于该底座内部,该第一及第二电极各设有第一端及第二端,该第一及第二电极的第一端由该底座的正面外露部分电极,该第一及第二电极的第二端由该底座的背面外露;
其中,于该凹穴中的该围墙的内壁及该底座的正面上设有一反射层组,该反射层组包围住该固晶层组,该反射层组由一反射金属层及一保护层组成,该反射金属层设于该凹穴的该围墙的内壁及该底座的正面并包围住该固晶层组,该保护层设于该反射金属层的表面上并包围住该固晶层组,另于该反射层成形后,在该底座的正面及该围墙的内壁上形成有第一绝缘沟,该第一绝缘沟隔绝第一电极及第二电极接触。
10、根据权利要求9所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该载体为陶瓷材料件。
11、根据权利要求9所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该第一端外露部分电极的表面上各设有一补强层,再于该二补强层表面上各设有一焊接层,该补强层为镍材料层,该焊接层为金材料层。
12、根据权利要求9所述的发光二极管的封装结构,其特征在于,该反射金属层为银材料层。
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