[实用新型]功率金属氧化物半导体场效晶体管结构

权利要求书

1、一种功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于包含：

一衬底，于该衬底的下表面具有一漏极金属导线以作为漏极接点；

一外延层，是成长于该衬底上，其中该外延层更具有一栅极浅沟道结构及一源极浅沟道结构，于该些浅沟道结构的侧壁及底部形成有氧化物层并沉积有多晶硅结构以填满该些浅沟道结构；

一浅基体井区，位于该外延层中；

一浅源极结，位于该浅基体井区上；

一介电质层，形成于该栅极浅沟道结构上；

一源极接点区，是借由蚀刻该外延层及该源极浅沟道结构所形成；

二重掺杂区，位于该源极浅沟道结构两侧的该外延层中；及

一源极金属导线，沉积于该介电质层及该源极接点区上以与该源极接点区接触。

2、如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于该衬底为N+型红磷衬底，该外延层为N-型外延层。

3、如权利要求2所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于该N+型红磷衬底具有0～0.0015Ω-cm的电阻值。

4、如权利要求第1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于该栅极浅沟道结构及该源极浅沟道结构的纵横比为1∶6。

5、如权利要求4所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于该栅极浅沟道结构及该源极浅沟道结构于该外延层中的蚀刻深度为0.5～1.5μm。

6、如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于该浅基体井区为一P-浅基体井区，该浅源极结为一N+浅源极结，该些重掺杂区为一P+重掺杂区。

7、如权利要求1所述的功率金属氧化物半导体场效晶体管结构，其特征在于该源极接点区于该外延层中的蚀刻深度为0.1～0.7μm。