[实用新型]太阳能电池组件有效
申请号: | 200820184930.7 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN201259893Y | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 唐应堂;沈坚 | 申请(专利权)人: | 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/05;H01L31/048 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215562江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种将太阳能转换成电能的装置,具体涉及一种太阳能电池组件。
背景技术
太阳能电池是一种半导体器件(或称物理电池),它能够直接将阳光的光能转换为电能。由于它工作时无需水、油、汽、燃料,只需要有光能就能发电的特点,堪称当代清洁、无污染的可再生能源,而且安装维护简单,使用寿命长,可以实现无人值守,倍受人们的青睐,是新能源中的佼佼者。近些年来,太阳能的应用在全球越来越广泛,特别是通信领域,太阳能电源系统正逐步取代一些传统的电源设备,得到越来越普遍的应用。
太阳能电池组件是由多个太阳能电池片构成的,通常,电池片排列成10行6列结构,面板和底板采用高透光率玻璃,安装在一框架内,相邻电池片之间经焊带串联连接,两端的引出焊带连接至接线盒内。在使用过程中,由于飞鸟、树叶等的投影,会在太阳能电池表面产生阴影,此时,对应的电池片非但不能发出电能,反而会转为电阻,消耗回路中的电能并发热,这就是所谓的热斑效应。热斑效应会导致回路发电效率的下降,进而造成电池片的损坏。为解决这一问题,通常在电池片的串联电路中并联旁路的肖特基二极管,现有技术中,常规的连接方式是,在一个接线盒内设置3个旁路二极管,从电池组件紧邻接线盒的一端,引出两个中间电极至接线盒内,其间以及与两端的电池引出焊带之间,分别连接所述旁路二极管。这样,在热斑情况下,旁路二极管导通,将一串(20个)电池片短接,以减小其对太阳能电池组件的影响。这种结构可以避免热斑情况下的电池片损坏,但是其在热斑情况下的稳定性一般,特别是当采用低成本的冶金硅芯片作为太阳能电池片时,其热斑稳定性更差,限制了冶金硅太阳能电池芯片的应用。
发明内容
本实用新型目的是提供一种太阳能电池组件,通过结构的改进,提高太阳能电池组件在热斑情况下的稳定性。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种太阳能电池组件,包括框架、面板、底板,以及设置在框架内由面板和底板夹持的太阳能电池片阵列,所述太阳能电池片阵列为6列10行,相邻电池片间通过焊带电连接,最外端的两个电池片分别设有正极引出焊带和负极引出焊带,所述太阳能电池片为冶金硅太阳能电池片,在所述太阳能电池片阵列中,以连续12片为一组,分成5组,每组相邻的连接处设置旁路引出焊带,4根旁路引出焊带与所述正极引出焊带、负极引出焊带一起连接至接线盒内,相邻引出焊带间分别连接一个旁路二极管,由此构成在5组太阳能电池片上分别并联一个所述旁路二极管的结构。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有的优点是:
1、由于本实用新型将太阳能电池片分成5组,设置了6根引出焊带,并接5个旁路二极管,使得每个二极管的旁路电池片由一般的20片减少到12片,大大增加了组件的热斑稳定性。
2、本实用新型可以采用低成本的冶金硅太阳能电池片,而组件尺寸、外观及安装方式与现有的普通太阳能电池组件相同,因而大大降低了太阳能电池组件的应用成本。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的电池片组件连线结构示意图;
图2是实施例一的电气连接示意图。
其中:1、框架;2、太阳能电池片阵列;3、焊带;4、正极引出焊带;5、负极引出焊带;6、旁路引出焊带。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例一:参见附图1、2所示,一种太阳能电池组件,包括框架1、面板、底板,以及设置在框架内由面板和底板夹持的太阳能电池片阵列2,所述太阳能电池片阵列为6列10行,相邻电池片间通过焊带3电连接,最外端的两个电池片分别设有正极引出焊带4和负极引出焊带5,所述太阳能电池片为冶金硅太阳能电池片,在所述太阳能电池片阵列2中,以连续12片为一组,分成5组,每组相邻的连接处设置旁路引出焊带6,4根旁路引出焊带6与所述正极引出焊带4、负极引出焊带5一起连接至接线盒内(图中未画出),相邻引出焊带间分别连接一个旁路二极管,由此构成在5组太阳能电池片上分别并联一个所述旁路二极管的结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的