[实用新型]一种数据接口无效
申请号: | 200820189913.2 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN201298881Y | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 支运安 | 申请(专利权)人: | 青岛海信电器股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/44 | 分类号: | H04N5/44 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申 健 |
地址: | 266100山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 数据 接口 | ||
1、一种数据接口,其特征在于,包括:串行接口和通道选择模块,其中,
所述串行接口包括两个输入输出接口,其中一个输入输出接口与外接电路连接,另一个输入输出接口与通道选择模块连接;
所述通道选择模块分别与主芯片和串口数据寄存器连接,用于在主芯片和串口数据寄存器中选择一路与串行接口连接。
2、根据权利要求1所述的数据接口,其特征在于,所述通道选择模块包括:选择信号接收子模块和路径选择子模块,其中,
选择信号接收子模块:一端与串行接口连接,一端与路径选择子模块连接,用于根据来自串行接口的选择信号向路径选择子模块发送控制命令;
路径选择子模块:一端与选择信号接收子模块连接,一端与串行接口连接,一端分别与主芯片和串口数据寄存器连接,用于根据控制命令在主芯片和串口数据寄存器中选择一路与串行接口连接。
3、根据权利要求2所述的数据接口,其特征在于,所述串行接口为VGA接口,所述串口数据寄存器为VGA EDID芯片。
4、根据权利要求3所述的数据接口,其特征在于,所述路径选择子模块为内置偏置电阻的三极管,其中,三极管集电极与VGA EDID芯片连接,三极管发射极分别与主芯片和通过偏置电阻的高电平连接,三极管基极接另一控制三极管的集电极,所述控制三极管的集电极还通过偏置电阻接高电平,所述控制三极管的发射极接地,所述控制三极管的基极接选择信号接收子模块。
5、根据权利要求4所述的数据接口,其特征在于,所述偏置电阻为10千欧姆。
6、根据权利要求5所述的数据接口,其特征在于,所述高电平为3伏特。
7、根据权利要求6所述的数据接口,其特征在于,所述选择信号接收子模块通过定义VGA管脚实现。
8、根据权利要求7所述的数据接口,其特征在于,所述路径选择子模块与串行接口之间串接有电阻。
9、根据权利要求8所述的数据接口,其特征在于,所述路径选择子模块与串行接口之间串接的电阻为100欧姆。
10、根据权利要求9所述的数据接口,其特征在于,所述路径选择子模块与串行接口之间设置有接地的压敏电阻。
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