[实用新型]一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块有效
申请号: | 200820199706.5 | 申请日: | 2008-12-22 |
公开(公告)号: | CN201345648Y | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 脱西河;陈立强 | 申请(专利权)人: | 德可半导体(昆山)有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40;H04W88/06 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 孙仿卫 |
地址: | 215347江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 td scdma gsm 双模 手机 射频 功率放大器 模块 | ||
1、一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块,它包括用于接收并处理TD输入信号的TD-SCDMA功率放大芯片(1)、用于接收并处理GSM输入信号的GSM功率放大芯片(3)、与所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)和GSM功率放大芯片(3)相电连接用于交替地控制所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)和GSM功率放大芯片(3)的控制芯片(2),且所述的TD-SCDMA功率放大芯片(1)、GSM功率放大芯片(3)、控制芯片(2)封装在一模块上,其特征在于:该功率放大器模块封装管脚包括自上而下设置在同一侧的多个输入端、设置在相对另一侧的多个输出端,所述的输入端包括TD射频输入端(TD_IN)、发射使能端(TX_EN)、两双模控制端(Vctrl_1、Vctrl_2)、电源输入端(V_BATT)、接地端(GND)、GSM输出功率等级控制输入端(V_DAC)、GSM高频段输入端(HB_IN)、GSM低频段输入端(LB_IN),所述的输出端包括TD_SCDMA射频信号输出端(TD_OUT)、GSM高频段输出端(HB_OUT)、GSM低频段输出端(LB_OUT)。
2、根据权利要求1所述的一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块,其特征在于:所述的功率放大器模块采用MCM封装方式。
3、一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块,它包括用于接收并处理TD输入信号和GSM高频输入信号的TD/GSM_HB功率放大芯片(1′)、用于接收并处理GSM低频段输入信号的GSM低频段功率放大芯片(3′)、与所述的TD/GSM_HB功率放大芯片(1′)和GSM低频段功率放大芯片(3′)相电连接用于交替地控制所述的TD/GSM_HB功率放大芯片(1′)和GSM低频段功率放大芯片(3′)的控制芯片(2′),且所述的TD/GSM_HB功率放大芯片(1′)、GSM低频段功率放大芯片(3′)、控制芯片(2′)封装在一模块上,其特征在于:该功率放大器模块封装管脚包括自上而下设置在同一侧的多个输入端、设置在相对另一侧的多个输出端,所述的输入端包括TD射频信号与GSM高频段信号输入端(TD_IN/GSM_HB)、发射使能端(TX_EN)、两双模控制端(Vctrl_1、Vctrl_2)、电源输入端(V_BATT)、接地端(GND)、GSM输出功率等级控制输入端(V_DAC)、GSM低频段输入端(LB_IN),所述的输出端包括TD射频信号和GSM高频段信号输出端(GSM_HB/TD_OUT)、GSM低频段输出端(LB_OUT)。
4、根据权利要求3所述的一种TD-SCDMA/GSM双模手机射频功率放大器模块,其特征在于:所述的功率放大器模块采用MCM封装方式。
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