[实用新型]用于制备高纯度氢气的膜分离设备无效

专利信息
申请号: 200820201900.2 申请日: 2008-10-14
公开(公告)号: CN201283263Y 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 解东来;叶根银 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: B01D53/22 分类号: B01D53/22;C01B3/50
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 代理人: 李卫东
地址: 510640广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 纯度 氢气 分离 设备
【权利要求书】:

1、用于制备高纯度氢气的膜分离设备,包括钯膜组件,其特征在于,该装置还包括 合成气流通框架、盲板法兰、石墨垫片、连接螺栓及螺母;在两盲板法兰之间设有多个钯 膜组件,盲板法兰与钯膜组件之间及钯膜组件与钯膜组件之间设有合成气流通框架,盲板 法兰与合成气流通框架之间及合成气流通框架与钯膜组件之间安装石墨垫片;

所述合成气流通框架为方形框架,中间为空腔;方形框架与盲板法兰或钯膜组件形成 封闭的空间,在合成气流通框架设有含氢合成气导入和导出管,导入和导出管与钯膜组件 的气体流通空间连通;在合成气流通框架四周设有凸台;

所述盲板法兰为方形板;在盲板法兰和钯膜组件与合成气流通框架连接的一面四周分 别设有凹槽,凹槽内设有石墨垫圈,合成气流通框架的凸台与盲板法兰和钯膜组件上的凹 槽密封连接,在盲板法兰的四周上开圆孔,用于组装时螺栓固定。

2、根据权利要求1所述的用于制备高纯度氢气的膜分离设备,其特征在于:所述钯 膜组件的膜支撑框架两侧分别有多孔烧结金属支撑体和钯合金膜,膜支撑框架内含有被净 化氢气气流流通通道,该通道为两对称的矩形齿状组合,通道宽度为3-5毫米,通道之间 的支撑框架为3-5毫米,气体导出口设置在支撑框架上下两端,与气流通道连通;所述的 膜支撑框架的四周加工一用于与合成气流通框架密封的长方形凹槽,所述凹槽宽3—7毫 米、深1—3毫米。

3、根据权利要求1所述的用于制备高纯度氢气的膜分离设备,其特征在于:所述合 成气流通框架为不锈钢方形框架。中间为空腔;方形框架与盲板法兰或钯膜组件形成封闭 的空间,在合成气流通框架设有含氢合成气导入和导出管,在合成气流通框架四周加工有 凸台,凸台宽度比盲板法兰和钯膜组件的凹槽的宽度窄0.3—0.7毫米,高度与盲板法兰和 钯膜组件的凹槽深度相同。

4、根据权利要求1所述的用于制备高纯度氢气的膜分离设备,其特征在于:所述盲 板法兰和钯膜组件与合成气流通框架连接的一面四周分别设有的凹槽为长方形凹槽,所述 凹槽宽度为3—7毫米、深度为1—3毫米。

5、根据权利要求1所述的用于制备高纯度氢气的膜分离设备,其特征在于:所述合 成气流通框架的凸台宽度比盲板法兰和钯膜组件的凹槽的宽度窄0.3—0.7毫米,高度与盲 板法兰和钯膜组件的凹槽深度相同。

6、根据权利要求1所述的膜分离设备,其特征在于:所述石墨垫圈为由耐高温的石 墨制成的长方形垫圈,宽度与盲板法兰和钯膜组件的凹槽的宽度相同,厚0.3-0.5毫米。

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