[实用新型]一种过流过压保护恒流源电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种过流过压保护恒流源电路。

背景技术

在实际应用中，很多负载虽然功耗不大，但却要求所提供的电源必须电流、电压在一定范围内保持相对稳定，同时要求对负载内的部分元件具有过流及过压保护的作用，解决这类负载的供电通常是采用恒流或稳压电源，而且在电源电路中还需要加入对负载中某些元件在异常情况下的过电流保护电路，这就使得这类电路元件多、电路复杂、电路浪费的功率比例大。

目前，LED的应用越来越广泛，用于日常室内和户外照明的LED灯具也正越来越普及。但是目前的LED驱动电路都需要设置稳流电路，这种电路外围元件多，虽然LED的照度稳定性较好，发光亮度变化小，但是其周边外围电路成本过高，另外，其消耗在外围电路上的功率相对于LED本身消耗的功率比例较大，常常是损耗功率占全部功率的20％～30％，使得原本省电的LED在应用中并未达到节能省耗的目的，其优点并未能完全发挥出来。如果设置一种与LED串联的恒流源器件，则可解决上述问题，但是，目前还没有一种这样的独立的恒流源器件应用于此。

“MOSFET”是英文“metal-oxide-semiconductor field effect transistor”的缩写，意即“金属氧化物半导体场效应晶体管”，其原理是所有现代集成电路芯片的基础。一个耗尽型MOSFET器件由三个基本部分构成：源极(S)、栅极(G)和漏极(D)。一个N-通道耗尽型MOS场效应管在源极及漏极之间接近栅极表面，有一个与源漏同极性的浅层掺杂层将源极与漏极相连接。当栅极与源极电压为正时，其饱和导通电流也随电压增高而增大，此点与增强型MOS场效应管相同。但是当栅极与源极同电位时，当漏极施以正压时，耗尽管先是经过电流急速上升的线性区，然后就进入恒流导通的饱和区，此时的漏极电压被称作饱和电压，漏极导通电流之大小与浅层掺杂层的浓度与深度有关，一般浓度与深度越大则电流越大。当栅极与源极之间施以负电压，则通道可以被截止，导通电流为零，此时的栅极电压被定义为开启电压，但是如果通道浓度太浓、深度太深，则栅极将无法截断通道电流。耗尽型MOS管由于在栅极与源极电压为零时，漏源极电流已呈恒流导通，这点导致其不如增强型MOS管在逻辑应用上方便，所以迄未被工业界单独做成器件来使用。由于耗尽型MOS管在栅极电压为零时已导通的特性及其在漏极电压增加时电流基本在饱和区直到漏极雪崩击穿，故其可作为一个恒流源使用。如果耗尽管漏极雪崩电压较低，例如在36伏以内，则耗尽管可作为安全的直流电源的低压恒流源之用。

综上所述，现有的技术存在以下不足：恒流或稳压电源元件多、电路复杂、负载效率低。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种元件少、电路简单、效率高、功耗低、节能的过流过压保护恒流源电路，该恒流源电路可直接应用于直流电源中。

本实用新型所采用的技术方案是：本实用新型包括直流电源、负载，所述过流过压保护恒流源电路还包括一个耗尽型场效应晶体管，所述直流电源、所述负载、所述耗尽型场效应晶体管相串联构成回路，所述耗尽型场效应晶体管的漏极为一接点，所述耗尽型场效应晶体管的源极与栅极相短接构成另一接点。

所述负载是LED组件或由若干个LED串联或串并联组成的LED灯具。

或者，所述负载是直流供电的电子电路。

或者，所述负载是直流电动机。

或者，所述负载是高阻性电热负载。

所述直流电源为电压可波动直流电源或恒压直流电源。

本实用新型的有益效果是：由于本实用新型包括直流电源、负载，所述过流过压保护恒流源电路还包括一个耗尽型场效应晶体管，所述直流电源、所述负载、所述耗尽型场效应晶体管相串联构成回路，所述耗尽型场效应晶体管的漏极为一接点，所述耗尽型场效应晶体管的源极与栅极相短接构成另一接点，在所述耗尽型场效应晶体管的栅极不加电压的情况下也保持导通状态，作为一个独立的恒流源器件，方便替换现有的外围稳压及稳流电路，使得电路元件大大减少、电路简单，故本实用新型元件少、电路简单、效率高、功耗低、节能，可直接应用于直流电源中并且具有过流过压保护功能，将其应用于LED发光电路中可节省整个电路的功耗。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的电路示意图；

图2是本实用新型实施例二的电路示意图。

具体实施方式

实施例一：