[实用新型]真空镀制的玻璃反光镜无效
申请号: | 200820205690.4 | 申请日: | 2008-12-22 |
公开(公告)号: | CN201340459Y | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 彭启成;刘浩;周拥仔;贺冬枚;赵华平;陈玉琴 | 申请(专利权)人: | 东莞市康达机电工程有限公司 |
主分类号: | G02B1/10 | 分类号: | G02B1/10;C23C14/35;A47G1/02 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人: | 彭长久 |
地址: | 523400广东省东莞市寮*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 玻璃 反光镜 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能聚光反光镜领域技术,尤其是指一种在玻璃基体上用真空磁控溅射方式镀制的反光镜。
背景技术
传统真空电阻加热法受蒸发角度影响,不能蒸镀面积较大零件。而化学溶液沉淀法镀制反光镜实在是一项技术性要求很高的工作。工人的技术程度要求高,人员也要求多一些。另外,化学镀制用水量比较大,水的浪费也比较多。还有化学镀制所用的化学药品比较多,对水的污染治理费用比较高。
实用新型内容
本实用新型针对上述现有技术所存在之缺失,主要目的在于提供一种膜层紧密、均匀、反射率高、环保、成本低且可大面积加工的真空镀制的玻璃反光镜。
为实现上述之目的,本实用新型采取如下技术方案:
一种真空镀制的玻璃反光镜,包括一玻璃基体,该玻璃基体的表面系为光滑镜面,在该光滑镜面上以真空磁控溅射方式镀制有一金属反光膜,该金属反光膜表面上设有一非金属保护膜。
在该非金属保护膜的表面上进一步设有一保护漆。
所述金属反光膜为铝、银、铜、金或铑金属膜。
所述非金属保护膜包括氧化硅层及在氧化硅层表面形成的二氧化硅层。该二氧化硅层厚度为10nm。
本实用新型优点如下:
1、膜层紧密、均匀。由于磁控溅射是靠电子轰击靶材溅射到基体上去的,靶材的长度都比零件长。溅射范围广,所以溅射到基体上的膜层均匀。溅射时,是由电子激发的金属分子粘附到玻璃表面的,所以膜层结构比较紧密,且反射率高,稳定。
2、采用磁控溅射技术镀制反光膜,可以节约大量的人力物力。降低化学药品和水的应用,减少水污染和空气污染。
3、溅射面积大,特别是全自动卧式镀膜生产线,其整块玻璃都可放进去。
4、强度高:可经受耐酸、耐盐、耐磨擦、耐高温、低温、耐光老化、耐高低温冲击、耐风沙冲击等耐候性试验。
附图说明
图1是本实用新型截面示意图;
图2是本实用新型以铝反射膜为例进行反光率测试的效果图。
具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步描述。
如图1,一种真空镀制的玻璃反光镜,包括一玻璃基体1,该玻璃基体1的表面系为光滑镜面11,在该玻璃基体的光滑镜面11上依次镀有金属反光膜2、非金属保护膜3、以及保护漆4,其中:
该玻璃基体1系以玻璃材料加工而成。
该金属反光膜2系通过真空磁控溅射方式镀于玻璃基体1的光滑镜面11上;该金属反光膜为铝、银、铜、金或铑金属膜。
该非金属保护膜3系镀于反光膜2的表面上该非金属保护膜3包括氧化硅层31及在氧化硅层31表面形成的二氧化硅层32,该二氧化硅层32厚度为10nm。当然还可以是其它厚度,在此不加予限制。
该保护漆4是涂(喷)于非金属保护膜3的表面上。
本实用新型之加工工艺如下:
1、将玻璃基体1的光滑表面11上进行清洁处理;
2、离子轰击:将清洁处理过的玻璃基体装入镀膜机内,关好阀门开起机械泵抽真空,进行离子轰击。
3、当真空度下降时,开起扩散泵开始抽高真空,抽至一定真空度后充氩气,起用磁控溅射设备发射电子激发氩气电子撞击金属靶材逸出金属原子镀制反光膜。时间6~10分钟;用来镀制金属反光膜的材料有:铝、银、铜、金、铑等。但以铝、银膜系为多。
4、镀非金属保护膜:在真空室镀氧化硅层保护膜,充氧。
5、加温烘烤:出真空室而放入烘箱,缓慢升温后并进行保温,使非金属保护膜的氧化硅层表面形成一层10nm厚度的二氧化硅(siO2)层。
6、涂(喷)保护漆:(用于作内反光镜进行此工序)按要求用银灰色锤纹漆或酚醛醇清漆按配方进行配制,按操作规程喷涂多次,然后进行烘烤即可。
经以上六个步骤完成的反光镜,主要是作内反光镜。如果只进行前五个步骤,则可作外反光镜。外反光镜,主要是室内或仪器内光路系统使用,优点是反射率高于内反光镜。内反光镜主要是用于室外或仪器外光路的反光,其优点是耐候性能比外反光镜好。
本实用新型设计重点在于利用磁控溅射技术镀制的玻璃反光镜,具有膜层紧密、均匀、反射率高、环保、成本低且可大面积加工之特点。
以上所述,仅是本实用新型结构较佳实施例而已,并非对本实用新型的技术范围作任何限制,故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
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