[实用新型]静电卡盘有效
| 申请号： | 200820208758.4 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN201383496Y | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·赖安;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201201上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 | ||
【权利要求书】：
1.一种静电卡盘，包括多个用于承载晶圆的凸台和控温气体入口，其特征在于：所述凸台承载面的形状为多边形，所述控温气体入口与凸台之间形成的控温气体通道连通。
2.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述的多边形为正多边形。
3.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述凸台的间距相同。
4.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述的多边形为正六边形或正八边形。
5.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述凸台承载面的形状包括两种以上的正多边形。
6.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：所述凸台在轴向上的高度为10μm至200μm。
7.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：还包括密封圈，所述密封圈部分或全部包围所述凸台。
8.如权利要求1所述的静电卡盘，其特征在于：在所述静电卡盘设有凸台的表面上还设有控温气体分布槽，所述控温气体分布槽与所述控温气体入口连通。
9.如权利要求8所述的静电卡盘，其特征在于：所述控温气体分布槽的宽度为0.4mm至2mm，控温气体分布槽的深度为0.1mm至0.5mm。
10.一种静电卡盘，包括多个用于承载晶圆的凸台和控温气体入口，其特征在于：所述凸台承载面的边界与相邻凸台的边界相匹配且凸台之间形成宽度相同的通道，使所述控温气体入口与凸台之间形成的控温气体通道连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
