[实用新型]2N阶伽玛产生电路

权利要求书

1、一种2N阶伽玛电压产生电路，所述N为大于或等于1的正整数，包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路，其特征在于所述的运算电路包括：存储FRC调制数据的SRAM存储器；与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块；分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。

2、如权利要求1所述的2N阶伽玛电压产生电路，其特征在于所述的FRC调制模块包括组合逻辑器、加法器和FRC调制器，组合逻辑器分别与SRAM存储器、FRC调制器、选择器、加法器连接，加法器也与选择器连接。

3、如权利要求2所述的2N阶伽玛电压产生电路，其特征在于所述N阶伽玛电压产生电路中的电阻是阻值稳定的电阻。

4、如权利要求2所述的2N阶伽玛电压产生电路，其特征在于所述的选择器是N+1选1的选择器。

5、如权利要求2至4任意项所述的2N阶伽玛电压产生电路，其特征在于所述N优选32。

6、如权利要求5所述的2N阶伽玛电压产生电路，其特征在于所述的加法器是6位加法器。

7、如权利要求5所述的2N阶伽玛电压产生电路，其特征在于所述选择器具有六位控制输入端。

8、如权利要求5所述的2N阶伽玛电压产生电路，其特征在于所述的SRAM存储器是寄存六位二进制数据的存储器。