[实用新型]雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿电路无效
| 申请号： | 200820214082.X | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN201332100Y | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 姚海军;夏火元;张杏 | 申请（专利权）人： | 深圳世纪晶源光子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/107 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 | 代理人： | 欧阳启明 |
| 地址： | 518107广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 偏置 电压 温度 补偿 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿电路，包括：升压芯片，其特征在于，所述升压芯片的高电压输出脚Vh与电阻R1的一端相连，电阻R1另一端与升压芯片的参考电压管脚FB相连，升压芯片的参考电压管脚FB同时还与电阻R2、R3、R4的一端相连，电阻R2另一端接地，电阻R3的另一端与二极管的正极相连，电阻R4的另一端接数模转换芯片的电压输出端。
2、根据权利要求1所述的雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿电路，其特征在于，所述二极管为硅二极管或者锗二极管。
3、根据权利要求1所述的雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿电路，其特征在于，所述升压芯片为低噪声、固定频率脉宽调制的升压转换器MAX5026或者LT3482。
4、根据权利要求1所述的雪崩光电二极管偏置电压的温度补偿电路，其特征在于，所述电阻R1、R2、R3、R4为10K欧姆至1000K欧姆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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