[实用新型]低压限流快速熔断器无效
| 申请号： | 200820222621.4 | 申请日： | 2008-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN201327806Y | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 贾炜;吴大刚;吴一艾;李涛;孟毓强;张红娟;杨晓静 | 申请（专利权）人： | 库柏西安熔断器有限公司 |
| 主分类号： | H01H85/05 | 分类号： | H01H85/05;H01H85/06 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李 罡 |
| 地址： | 710065陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 限流 快速 熔断器 | ||
1、低压限流快速熔断器，包括导电板(1)、锡箔(2)、瓷管(3)、铜-银熔体(7)，其特征在于：在熔断器两侧分别安装有导电板(1)，在导电板(1)和联结板(12)中间放入锡箔(2)，在导电板(1)和瓷管(3)中间放入银箔(10)，连结缝隙处涂硅胶(11)。
2、根据权利要求1所述的低压限流快速熔断器，其特征在于：所述导电板(1)与联结板(12)用M4×8螺钉连接后，在锡箔熔化的状态下将M4×8螺钉紧固。
3、根据权利要求1或2所述的半导体器件保护用熔断器，其特征在于：所述导电板(1)与瓷管(3)用自攻螺钉连接。
4、根据权利要求1所述的半导体器件保护用熔断器，其特征在于：所述铜-银复合熔体(7)分别点焊在联结板上(12)。
5、根据权利要求4所述的半导体器件保护用熔断器，其特征在于：所述铜-银复合熔体(7)长度＝50mm，排距＝12mm，狭颈＝0.2mm，圆孔直径＝2.3mm，边距＝13mm。
6.根据权利要求4所述的半导体器件保护用熔断器，其特征在于：所述铜-银复合熔体(7)长度＝80mm，排距＝12mm，狭颈＝0.2mm，圆孔直径＝2.3mm，边距＝16mm。
7.根据权利要求4所述的半导体器件保护用熔断器，其特征在于：所述铜-银复合熔体(7)长度＝100mm，排距＝12mm，狭颈＝0.2mm，圆孔直径＝2.3mm，边距＝14mm。
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