[实用新型]一种基于HEMT管芯的Ka频段低噪声放大器有效
| 申请号： | 200820222702.4 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN201294524Y | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 马尚;张昕;任联峰 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五〇四研究所 |
| 主分类号： | H04B7/185 | 分类号： | H04B7/185;H04B1/00 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 | 代理人： | 李子安 |
| 地址： | 71010*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 hemt 管芯 ka 频段 低噪声放大器 | ||
1.一种基于HEMT管芯的Ka频段低噪声放大器，包括依次相接的输入波导隔离器(5)、Ka频段低噪声放大器电路模块(17)和输出波导隔离器(8)且三者组成一个射频通道，还包括与所述射频通道相接且内部集成有偏置电路(2)的滤波及稳压电路(19)；所述Ka频段低噪声放大器电路模块(17)包括依次相接的前级低噪声处理电路模块(1)和用于提高增益的后级增益调节电路模块(16)，其特征在于：所述低噪声处理电路模块(1)为HEMT管芯及其管芯匹配电路(15)组成，所述管芯匹配电路(15)为高低阻抗变换匹配电路。
2.按照权利要求1所述的一种基于HEMT管芯的Ka频段低噪声放大器，其特征在于：所述Ka频段低噪声放大器电路模块(17)的电路调试方式为金带压焊调试方式；所述Ka频段低噪声放大器电路模块(17)的输入输出高频绝缘子均采用金带包接软搭接方式进行连接。
3.按照权利要求1或2所述的一种基于HEMT管芯的Ka频段低噪声放大器，其特征在于：所述射频通道的数量为两个，所述射频通道和滤波及稳压电路(19)均设置在同一个壳体内。
4.按照权利要求1或2所述的一种基于HEMT管芯的Ka频段低噪声放大器，其特征在于：所述HEMT管芯为两级NE321000管芯。
5.按照权利要求4所述的一种基于HEMT管芯的Ka频段低噪声放大器，其特征在于：所述增益调节电路模块(16)由两个用于提高增益的增益调整芯片一(3)和增益调整芯片二(13)串接组成，所述增益调整芯片一(3)和增益调整芯片二(13)均为CHA2069芯片且两个CHA2069芯片之间串接有一个起温补作用的压控衰减器芯片(4)，所述压控衰减器芯片(4)为芯片CHT3091a；所述芯片CHT3091a和增益调整芯片二(13)之间接有带通滤波器(7)；
所述射频通道的输入信号依次经输入波导隔离器(5)、两级NE321000管芯、增益调整芯片一(3)、3dB固定衰减芯片(6)、芯片CHT3091a、带通滤波器(7)、增益调整芯片二(13)以及输出波导隔离器(8)后输出；所述NE321000管芯和增益调整芯片一(3)之间以及增益调整芯片二(13)和之间均接有过渡线电路(9)。
6.按照权利要求5所述的一种基于HEMT管芯的Ka频段低噪声放大器，其特征在于：所述3dB固定衰减芯片(6)为芯片TGL4201-03-EPU。
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