[实用新型]基于SOI的连续薄膜式微变形镜

权利要求书

1、基于SOI的连续薄膜式微变形镜，包括SOI硅片的基底层、绝缘层和器件层，以及变形镜的镜面、镜面至驱动电极的空腔、驱动电极和玻璃基底，其特征在于：所述的基底层、绝缘层和器件层为一张SOI硅片的三层结构，基底层处于结构最上方，向下依次为绝缘层和器件层；对器件层进行刻蚀后余下的体硅薄膜作为微镜镜面，而刻蚀的凹槽在SOI硅片与玻璃基底键合后形成镜面至驱动电极的空腔，镜面上方的基底层和绝缘层则以与器件层刻蚀凹槽相同的形状和位置作穿透刻蚀，使镜面露出，驱动电极分布在镜面至驱动电极的空腔中，由溅射在玻璃基底上的金属经过刻蚀得到。

2、根据权利要求1所述的基于SOI的连续薄膜式微变形镜，其特征在于：所述的镜面形状为圆形或方形。

3、根据权利要求1所述的基于SOI的连续薄膜式微变形镜，其特征在于：所述的电极形状为圆形或六边形，分布规律为正交型排列或砖型排列。

4、根据权利要求1所述的基于SOI的连续薄膜式微变形镜，其特征在于：所述的变形镜镜面上溅射一层金属作为反射层。

5、根据权利要求1所述的基于SOI的连续薄膜式微变形镜，其特征在于：所述的SOI硅片厚度400微米，其中绝缘层厚300纳米，器件层厚20微米，对器件层刻蚀15微米，镜面厚5微米，形状设为圆形，直径1.2厘米，玻璃基底采用硅酸盐玻璃Pyrex7740，驱动电极材料选用铝，溅射厚度0.4微米，电极形状设为圆形，直径500微米，电极中心距1000微米，采用9×9正交形排列并去除12个单元，即在四角各去除最顶点单元以及距离该单元最近的两个单元。