[实用新型]一种可阻流的低压断路器

权利要求书

1.一种可阻流的低压断路器，包括由动触头和静触头组成的触头部件；动触头、静触头分别设有接触部；动触头、静触头的接触部分别为银基合金体、铜基合金体的二层结构，其中，动触头、静触头相吸合时为动触头的银基合金体与静触头的银基合金体相接触；

其特征在于：

该动触头、静触头中的至少一个的银基合金体与铜基合金体之间还设有其电阻值可随温度正向变化的金属氧化物体，该金属氧化物体完全阻隔在所述的银基合金体与铜基合金体之间。

2.根据权利要求1所述的一种可阻流的低压断路器，其特征在于：所述的金属氧化物体设在动触头中，该金属氧化物体完全阻隔在动触头的银基合金体与动触头的铜基合金体之间。

3.根据权利要求1所述的一种可阻流的低压断路器，其特征在于：所述的金属氧化物体设在静触头中，该金属氧化物体完全阻隔在静触头的银基合金体与静触头的铜基合金体之间。

4.根据权利要求1所述的一种可阻流的低压断路器，其特征在于：所述的金属氧化物体分别设在动触头和静触头中，动触头的金属氧化物体完全阻隔在动触头的银基合金体与动触头的铜基合金体之间，静触头的金属氧化物体完全阻隔在静触头的银基合金体与静触头的铜基合金体之间。

5.根据权利要求2或3或4所述的一种可阻流的低压断路器，其特征在于：所述的金属氧化物体为片式结构，该片式金属氧化物体的一面与铜基合金体焊接相固定，片式金属氧化物体的另一面与银基合金体焊接相固定。

6.根据权利要求2或3或4所述的一种可阻流的低压断路器，其特征在于：所述的金属氧化物体为直接成型在铜基合金体上的层式结构，该金属氧化物体的外层面与银基合金体焊接相固定。

7.根据权利要求2或3或4所述的一种可阻流的低压断路器，其特征在于：所述的金属氧化物体为直接成型在银基合金体上的层式结构，该金属氧化物体的外层面与铜基合金体焊接相固定。

8.根据权利要求2或3或4所述的一种可阻流的低压断路器，其特征在于：所述的金属氧化物体为直接成型在银基合金体与铜基合金体之间的层式结构。