[实用新型]单相异步电机启动装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及的是单相异步电机启动保护装置。

背景技术

作为单相异步电机启动的保护装置，目前多采用在机械式启动控制开关的基础上附加电了控制装置。机械式启动触点开关在开合动作中承受着启动电弧，若触点损坏导致开关动作失灵，则容易损坏启动电容或者是烧毁电机。

发明内容

本实用新型的发明目的在于提供一种以无触点的半导体器件为启动开关部件而设计的一种新型的单相异步电机启动装置。本实用新型公开的单相异步电机启动装置技术方案，其主要技术内容是：一种单相异步电机启动装置，包括作为启动开关的可控硅和该可控硅控制电路，可控硅主回路与启动电容串联构成副绕组线圈的控制支路；其可控硅控制电路包括设置于可控硅控制回路的开关器件，以启动电容端电压作为检测信号连接设有高电平比较电路和低电平比较电路，所述的开关器件的控制端连接设有使其工作于开关状态的正反馈偏置电路。

本实用新型公开的单相异步电机启动装置技术方案，采用半导体器件——可控硅作为启动开关，尤其以其控制回路中在正反馈电路作用工作于控制开关状态的开关器件为控制驱动，因而具有启动控制灵敏度和准确性高、工作可靠和稳定性高的特点。

附图说明

图1是本单相异步电机启动装置与电机启动电容和副绕组线圈、运行绕组线圈连接的电路图

图2是本单相异步电机启动装置的电路原理图。

具体实施方式

高电平比较电路和低电平比较电路连接设有基准电压电路。

本实用新型的单相异步电机启动装置，包括作为启动开关的可控硅及其控制电路。如图1所示，可控硅主回路串联启动电容C构成副绕组线圈L1控制支路，并联于电机运行绕组线圈L2。可控硅控制电路包括设置于可控硅控制回路的开关器件，还包括以启动电容C的端电压作为检测电压连接设置的高电平比较电路和低电平比较电路，所述的高电平为电机转子转速运行上升到一设定值时启动电容C的端电压值，当高于该高电平设定值时，驱动开关器件使可控硅Q断开，由运行线圈单独工作；所述的低电平为电机转子转速运行下降到一设定值时启动电容C的端电压值，当低于该低电平时，驱动开关器件使可控硅Q导通，则附加电机副绕组线圈L1运转工作。在本实施例结构中，其开关器件选用的是PNP型三极管T1，其基极控制端连接设有使其工作于开关状态的正反馈偏置电路。所述的电平比较电路和正反馈偏置电路均由运算放大器A3、A4和A1、A2连接构成，电源稳压电路输出端接入运算放大器A3的正极输入端和运算放大器A4的负极输入端，提供比较基准电压，启动电容C的端电压经单向二极管D3分别连接至两运算放大器A3、A4的负极输入端、正极输入端，分别构成低电平比较电路和高电平比较电路，两比较电路输出分别接入运算放大器A1、A2的负极输入端，运算放大器A2的输出端经分压电阻并接运算放大器A1输出端，且运算放大器A2的输出端馈至运算放大器A1的负极输入端，构成三极管T1的基极偏置电路，使本三极管T1可靠的工作于开关状态。为了实现开关三极管T1与可控硅Q的隔离，在可控硅控制回路中设置有光电耦合管。

上述电路的动作实施过程是：接入电路瞬间，开关三极管T1导通，通过光电耦合管使可控硅导通，副绕组线圈L1与运行绕组线圈L2共同运转，当电机运行电压升高达到其转子转速上升至70-85％时，即启动电容C电压V0达到设置的5V电压时，运算放大器A4的正极输入端电压高于其负极基准电压，则对运算放大器A2负极端输出高电平，使运算放大器A2输出低电平，同时馈至运算放大器A1负极输入端，促使开关三极管T1断开，也促使可控硅Q断开，由电机运行绕组线圈L2单独运行。其后的电机运行中，若转子转速低于50％的设定值时，与其对应的启动电容C的端电压V0值低于低电平比较电路运算放大器A3正极基准电压时，运算放大器A 3向运算放大器A1负极输入端输出高电平，运算放大器A1对开关三极管T1基极输出低电平，此时运算放大器A4也同样输出低电平，促使其二极管D2截止，使开关三极管T1翻转导通，使电机恢复到正常的运行状态。