[实用新型]一种晶种提升装置的调节器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种调节器，特别是一种晶种提升装置的调节器。

背景技术

在半导体生产中硅单晶是最重要的基本材料。其拉晶过程是：把原料多硅晶块放入石英坩埚中，在单晶炉中加热融化，再将一根棒状晶种浸入融液中，融液中的硅原子会顺着晶种的硅原子排列，在固液交界面上形成规则的结晶，成为单晶体。把晶种向上提升，融液中的硅原子会在前面形成的单晶体上继续结晶，并延续其规则的原子排列结构。若整个结晶环境稳定，就可以周而复始的形成结晶，最后形成一根圆柱形的原子排列整齐的硅单晶晶体，即硅单晶锭。

在拉晶开始之前，需要先引出一定长度和一定直径要求的细颈，以消除结晶错位，这个过程叫做引晶。由于引晶时有一定的要求，引晶过程的好坏与晶体等径生长的好坏有较大的影响，而在此过程中操作人员需要随时进行调整晶种上升速度以使引晶达到要求，所以在引晶时需要不断调节晶种向上提升的速度。

现有的引晶控制器是用一个电位器调整控制电压来改变晶种提升速度的提升电路，该电位器要求使用多圈电位器以便达到可以微量地改变控制电压的目的.但用此种电位器进行较大变化的调节时却显得不方便且速度调节不易达到要求，对操作人员的熟练程度有较高的要求，引晶效率较低，影响以后的成晶成品率，操作也不方便。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种晶种提升装置的调节器，以便快速便捷的改变引晶状态的晶种提升速度，转换操作速度加快，效率提高，可以提高引晶效率及以后的成晶成品率。

本实用新型的技术方案：一种晶种提升装置的调节器，它包括提升电路和电位器甲，电位器甲的一端与电源的正极连接，电位器甲的另一端与电源的负极连接；电位器甲的滑动臂经二极管甲与提升电路连接；它还包括电位器乙，电位器乙与按钮开关串连后与电位器甲的两端并连，电位器乙的滑动臂经二极管乙与提升电路连接。

与现有技术相比，本实用新型由于在现有的电位器上又并连了一个电位器，可以分别调整快速引晶和一般引晶时的提升速度，通过速度的改变来控制引晶的直径，调整好之后，可以通过按钮开关在引晶直径变大时将较慢的晶种提升速度转换为快速的的晶种提升速度，转换操作速度加快，效率提高，直径控制更便易，可以提高引晶效率及以后的成晶成品率。

附图说明

图1是本实用新型的电路图；

图2是现有技术的电路图。

附图中的标记为：1-提升电路，2-电位器甲，3-二极管甲，4-电位器乙，5-按钮开关，6-二极管乙。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型的调节引晶速度的装置作进一步的详细说明，但并不作为对本实用新型做任何限制的依据。

现有技术的电路如图2所示，它只有一个电位器甲2，电位器甲2的一端与电源的正极连接，电位器甲2的另一端与电源的负极连接，电位器甲2的滑动臂直接与提升电路1连接，为提升电路1提供提升控制信号；本实用新型如图1所示，它是在现有的电位器甲2两端又并连了一个电位器乙4与按钮开关5串连的电路，电位器甲2的滑动臂经二极管甲3与提升电路1连接；电位器乙4的滑动臂经二极管乙6与提升电路1连接。增加二极管甲和二极管乙的作用是避免在转换为快速提升速度时慢速提升电位器的低电压拉低控制电压和避免在恢复为低速引晶时电位器4的滑动臂拉低结点1处的电压。具体实施时，按图1接线，确认接线无误后，进行提升速度调节。

本实用新型的调节过程：

拉晶提升速度的调节，释放按钮开关5，使按钮开关5处于断开位置，调节电位器甲2，使晶种的提升速度满足快速引晶要求。

引晶提升速度的调节，按下按钮开关5，使按钮开关5处于接通位置，调节电位器乙4，使晶种的提升速度满足引晶要求。

操作过程：需要引晶速度慢时，释放按钮开关5，晶种以慢速将晶种提升，如果需要改变速度还可以通过调整电位器甲2进行调节。当需要快速引晶时，按下按钮开关5，晶种的提升速度加快。以提高晶种提升速度，如果引晶提升速度不合适也可以通过电位器乙4进行微调。一般情况下，当生产条件不变的时，在生产前调整好，就不需要再进行调节了，慢速引晶时释放按钮开关5进行操作，直径需要变细时按下按钮开关5就可以达到快速引晶的提升速度。