[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其向被处理基板的表面供给羰基金属原料的气相分子，通过在所述被处理基板表面附近使其分解，在所述被处理基板的表面堆积金属膜，其特征在于，

包括在所述处理基板表面堆积金属层时，在与所述被处理基板的外周部邻接的区域，使所述羰基金属原料优先分解的工序，

在所述被处理基板外周部附近，使得在气氛中CO浓度局部增大，抑制金属膜在所述外周部的堆积，

使堆积在与所述被处理基板外周部邻接的区域的所述羰基金属原料优先分解的工序包括：将与所述被处理基板外周部邻接的区域的温度升高到高于所述被处理基板表面的温度的工序。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，使堆积在与所述被处理基板外周部邻接的区域的所述羰基金属原料优先分解的工序包括：在所述外周部附近，形成与面对所述被处理基板的主要部分的第一气氛空间相连通、并且体积小于所述第一气氛空间的第二气氛空间的工序。

3.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述形成第二气氛空间的工序包括：在形成有对应于所述被处理基板的凹部的基板保持台上，以所述被处理基板的外周面与所述凹部的内周面相对的方式配置所述被处理基板的工序。

4.如权利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述形成第二气氛空间的工序包括：配置覆盖所述被处理基板的外周部的盖部件的工序。

5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，使与所述被处理基板的外周部邻接的区域的温度高于所述被处理基板表面的温度的工序包括：配置覆盖所述被处理基板的外周部的盖部件，使所述盖部件的温度高于所述被处理基板表面的温度的工序。

6.一种成膜装置，包括：

具备保持被处理基板的基板保持台的处理容器；

对所述处理容器进行排气的排气系统；

向所述处理容器供给羰基金属原料气体的第一气体供给系统；和

向所述处理容器供给抑制所述羰基金属原料的分解的气体的第二气体供给系统，其特征在于，

所述基板保持台，包括支撑部和温度控制部，所述支撑部具有与所述被处理基板的外径相对应的尺寸，支撑所述被处理基板，所述温度控制部与所述支撑部相接并包围所述支撑部，

所述温度控制部，在通过所述羰基金属原料分解而在所述被处理基板上形成金属膜时，被保持在高于所述支撑部的温度。

7.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述温度控制部与所述支撑部形成在同一个面上，在与所述支撑部不同的加热区域。

8.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述温度控制部还包括与所述支撑部上的所述被处理基板的外周面相对的相对面，所述相对面与所述外周面之间形成有与所述处理容器内的处理空间连通、比所述处理空间容积小的空间。

9.如权利要求8所述的成膜装置，其特征在于，所述相对面与所述外周面仅离开0.5～1mm的距离而形成。

10.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述温度控制部由离开所述被处理基板的外周面并覆盖所述外周面的盖部件构成，在形成所述金属膜时，所述盖部件保持在高于所述支撑部的温度。

11.如权利要求10所述的成膜装置，其特征在于，在形成所述金属膜时，所述盖部件与所述外周面仅离开0.5～1mm的距离而配设。

12.如权利要求6所述的成膜装置，其特征在于，所述温度控制部由与所述被处理基板的外周面相接并覆盖所述外周面的压紧环构成，在形成所述金属膜时，所述压紧环保持在高于所述支撑部的温度。

13.如权利要求12所述的成膜装置，其特征在于，所述压紧环能够在与所述被处理基板的外周面相接的第一位置和离开所述外周面的第二位置之间上下移动，在所述第一位置与热源接触，被加热到高于所述支撑部的温度。