[发明专利]研磨浆料、制备研磨浆料的方法、氮化物晶体材料以及氮化物晶体材料的表面研磨方法无效

专利信息
申请号: 200880000166.6 申请日: 2008-02-13
公开(公告)号: CN101541476A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 川端计博;中山茂吉;石桥惠二 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: B24B37/00 分类号: B24B37/00;C09K3/14;H01L21/304
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 研磨 浆料 制备 方法 氮化物 晶体 材料 以及 表面
【权利要求书】:

1.一种用于氮化物晶体表面研磨的研磨浆料,该研磨浆料包括氧化物磨粒,选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂,以及氧化剂;该研磨浆料具有小于7的pH值。

2.根据权利要求1所述的研磨浆料,其中所述至少一种分散剂同时包含阴离子性有机分散剂和无机分散剂。

3.根据权利要求1或2所述的研磨浆料,其中所述氧化物磨粒具有的等电点高于所述研磨浆料的pH值。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的研磨浆料,其中所述氧化物磨粒由选自Ti2O、Fe2O3、Fe3O4、NiO、CuO、Cr2O3、SiO2、Al2O3、MnO2和ZrO2的至少一种氧化物构成。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的研磨浆料,其中所述阴离子性有机分散剂具有-COOM基团,其中M代表H、NH4或金属元素。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的研磨浆料,其中所述无机分散剂为选自Ca(NO3)2、NaNO3、Al(NO3)3、Mg(NO3)2、Ni(NO3)2、Cr(NO3)3、Cu(NO3)2、Fe(NO3)2、Zn(NO3)2、Mn(NO3)2、Na2SO4、Al2(SO4)3、MgSO4、NiSO4、Cr2(SO4)3、CuSO4、FeSO4、ZnSO4、MnSO4、Na2CO3、NaHCO3、Na3PO4、CaCl2、NaCl、AlCl3、MgCl2、NiCl2、CuCl2、FeCl2、ZnCl2和MnCl2的至少一种。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的研磨浆料,所述研磨浆料还包含由勃姆石构成的沉降抑制剂。

8.一种制备权利要求1-7中任一项所述的研磨浆料的方法,该方法包括下列步骤:

(a)首先,向水性液体中至少添加所述氧化物磨粒和选自阴离子性有机分散剂与无机分散剂的至少一种分散剂;以及

(b)然后,机械地分散所述氧化物磨粒。

9.一种研磨氮化物晶体表面的方法,所述方法通过使用权利要求1-7中任一项所述的研磨浆料以化学机械方式对所述氮化物晶体的表面进行研磨。

10.一种氮化物晶体,其通过权利要求9所述的方法获得并且具有2nm以下的表面粗糙度Ra。

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