[发明专利]Al-Ni-B系合金溅射靶材

说明书

技术领域

本发明涉及溅射靶材，特别涉及能抑制溅射时的打火现象的Al-Ni-B系合金溅射靶材。

背景技术

近年，作为液晶面板的布线材料，铝(下面称为Al)系合金膜正受到关注。已知该Al系合金膜是具备耐热性和低电阻性等特性的材料，其中，在铝中含有镍(下面称为Ni)的Al-Ni系合金是耐热性、低电阻性优异的材料(参照专利文献1～3)。

专利文献1：日本专利特开2003-089864号公报

专利文献2：日本专利特开2004-214606号公报

专利文献3：国际公开第2006/117954号文本

发明的揭示

该作为布线材料使用的Al系合金膜通常是通过溅射形成的。已知通过该溅射成膜时，会发生被称为所谓打火(arcing)和飞溅(splash)的现象，而已指出，成膜Al系合金膜时，在溅射时打火发生得较多。特别是如果使用通过铸造法制造的Al系合金溅射靶材，则可观察到频繁发生打火现象的情况。

该通过铸造法制造的Al系合金溅射靶材具有如下性质：其组织结构是具有较大的结晶粒径的组织结构，此外，由添加至靶材中的添加元素生成的化合物容易被氧化形成氧化物，等等；可认为由于这些原因导致发生打火。

该Al(铝)-Ni(镍)-B(硼)系合金溅射靶材可以通过一直以来已知的铸造法制造。但是，对于怎样的靶材组织结构能充分地抑制打火的发生，以及通过什么样的制造条件能实际制造出上述Al-Ni-B系合金溅射靶材，并没有提出了具体提案的已有技术。

本发明以上述事实为背景，其目的是提供抑制打火的发生的Al-Ni-B系合金溅射靶材。

为解决上述问题，本发明的Al-Ni-B系合金溅射靶材是含有Ni及B、析出Al₃Ni化合物的Al-Ni-B系合金溅射靶材，其特征在于，相对于上述Al₃Ni化合物的总析出量，内含含B粒子的Al₃Ni化合物的比例在2％以上，上述Al₃Ni化合物的平均粒径在20μm以下。另外，本发明中的相对于Al₃Ni化合物的总析出量、内含含B粒子的Al₃Ni化合物的比例是指：以百分率表示相对于Al₃Ni化合物的总个数、内含含B粒子的Al₃Ni化合物的个数的比例而得的值，该Al₃Ni化合物的总个数是在用扫描型电子显微镜观察靶材表面或截面时确定的。

另外，本发明涉及使用上述Al-Ni-B系合金溅射靶材、通过溅射法形成的Al-Ni-B系合金膜。

对附图的简单说明

图1是采用四端子法的电阻值测定元件的示意图。

图2是实施例1的靶材表面的SEM观察照片的示意图。

实施发明的最佳方式

下面，就本发明的最佳实施方式进行说明，但本发明不限定于下述实施方式。

本发明的Al-Ni-B系合金溅射靶材含有Ni及B，析出Al₃Ni化合物，其特征在于，相对于靶材中的Al₃Ni化合物的总析出量，内含含B粒子的Al₃Ni化合物的比例在2％以上，上述Al₃Ni化合物的平均粒径在20μm以下。已经发现，Al-Ni-B系合金具有在Al相中析出作为金属互化物的Al₃Ni的性质，而该在Al相中析出的Al₃Ni化合物中如果存在规定量的内含含B粒子的Al₃Ni，则打火的发生被抑制。

靶材是含有Ni及B作为添加元素的Al-Ni-B系合金时，靶材的Al相中会生成Al₃Ni化合物和含B粒子(例如AlB₂粒子)。如果通过铸造法制造Al-Ni-B系合金溅射靶材，则在规定条件下，Al₃Ni化合物以在Al相中生成的含B粒子为核发生生长，形成内含含B粒子的Al₃Ni化合物。该内含含B粒子的Al₃Ni化合物具有在靶材的Al相中微细地析出的倾向，推测如果Al相中存在规定量的该内含含B粒子的Al₃Ni化合物，则整个靶材的组织微细化程度加深，打火的发生被抑制。