[发明专利]肖特基势垒二极管及其产生方法无效
| 申请号： | 200880000260.1 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101542736A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 宫崎富仁;木山诚 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林月俊;安 翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基势垒二极管 及其 产生 方法 | ||
1.一种肖特基势垒二极管，包括：
具有台面部分的半导体层；和
置于所述台面部分的顶表面上的肖特基电极，
其中，所述肖特基电极的侧边缘和所述台面部分的顶表面边缘之间的距离是预定值或者更小。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒二极管，其中，所述预定值是2μm。
3.根据权利要求1或2所述的肖特基势垒二极管，其中，所述台面部分的台阶高度大于0.2μm。
4.一种生产肖特基势垒二极管的方法，包括：
步骤A，在半导体层上形成肖特基电极；和
步骤B，通过使用肖特基电极或者掩蔽膜对所述半导体层进行蚀刻而形成台面形状，且步骤B在步骤A之后进行。
5.根据权利要求4所述的生产肖特基势垒二极管的方法，其中，在步骤B中，采用抗蚀剂膜作为掩蔽膜，且在该抗蚀剂膜中，与肖特基电极的重叠量为2μm或者更小。
6.根据权利要求4或者5所述的生产肖特基势垒二极管的方法，其中，在步骤A中，通过等离子体蚀刻而形成台面部分的外形，然后通过湿法蚀刻移除表面层。
7.一种生产肖特基势垒二极管的方法，包括：
步骤A，通过对置于衬底的主表面侧上的半导体层进行蚀刻而形成台面部分；
步骤B，在所述衬底的相反表面上形成背侧电极，且步骤B在步骤A之后进行；以及
步骤C，在所述台面部分上形成肖特基电极，且步骤C在步骤B之后进行。
8.根据权利要求7所述的生产肖特基势垒二极管的方法，其中，在步骤A中，通过等离子体蚀刻而形成所述台面部分的外形，然后通过湿法蚀刻移除表面层。
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