[发明专利]光信息记录介质及其记录和/或读取方法

权利要求书

1.一种光信息记录介质，其特征在于，

所述光信息记录介质包括包含ZnS、SiO₂和Sb作为主成分的记 录层；

所述记录层包含选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的 至少一种元素；以及

所述记录层具有满足下面公式(1)的组成：

[(ZnS)_x(SiO₂)_1-x]_y(Sb_zX_1-z)_1-y  (1)

其中满足0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7，以及0.8＜z≤1.0，X表示选 自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组的至少一种元素。

2.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所示 记录层的厚度等于或大于3nm且等于或小于40nm。

3.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述 光信息记录介质具有在基板上的所述记录层。

4.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其特征在于，所述 光信息记录介质在所述基板和所述记录层之间具有反射层；以及记录 和/或再现激光进入所述记录层侧。

5.根据权利要求4所述的光信息记录介质，其特征在于，所述 反射层由金属和/或半金属制成。

6.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述 光信息记录介质包括保护层，其在所述记录层的至少一个侧面上与所 述记录层的表面接触，并由电介质形成。

7.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其特征在于，所述 光信息记录介质包括介于所述基板和所述记录层之间的反射层；以及 介于所述反射层和记录层之间，在所述记录层的一个侧面上与所述记 录层的表面接触并由电介质形成的保护层；以及记录和/或再现激光 进入所述记录层侧。

8.根据权利要求3所述的光信息记录介质，其特征在于，所述 光信息记录介质包括介于所述基板和记录层之间的反射层；介于所述 反射层和记录层之间，在所述记录层的一个侧面上与所述记录层的表 面接触并由电介质形成的第一保护层；以及在与所述基板相对的所述 记录层的一个侧面上与所述记录层的表面接触放置并由电介质形成的 第二保护层；以及记录和/或再现激光进入所述记录层侧。

9.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，所述 光信息记录介质包括多个记录层。

10.一种记录和/或再现方法，用于根据权利要求1所述的光信 息记录介质，其特征在于，通过使波长等于或大于385nm且等于或 小于415nm的激光进入所述记录层来执行记录和/或再现。