[发明专利]氮化物半导体发光器件以及氮化物半导体发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，具有：

第一导电类型氮化镓半导体区域；

第二导电类型氮化镓半导体区域；以及

有源层，提供在所述第一导电类型氮化镓半导体区域和所述第二 导电类型氮化镓半导体区域之间，所述有源层被设置成能够发射发射 波长在440nm以上到550nm以下的范围内的光，所述发光器件的特征 在于：

所述有源层包括由六方晶系的In_xGa_1-xN构成的阱层，其中0.16≤ x≤0.4，铟组成x：应变组分，

所述阱层的厚度D大于3nm，

所述阱层的厚度D为20nm或更小，

所述厚度D与铟组成x的关系为x≥-0.16×D+0.88，其中D为 大于3且小于或等于20的数值，

所述第一导电类型氮化镓半导体区域、所述有源层和所述第二导 电类型氮化镓半导体区域被沿着一预定轴布置，以及

所述六方晶系的In_xGa_1-xN的m平面被沿着所述预定轴定向。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：

所述有源层包括由六方晶系的In_yGa_1-yN构成的势垒层，其中0≤y ≤0.05，y：应变组分。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的氮化物半导体发光器件， 还包括由六方晶系的Al_zGa_1-zN半导体(0≤z≤1)构成的衬底，其特 征在于：

在所述衬底的主面上搭载有所述第一导电类型氮化镓半导体区 域、所述有源层和所述第二导电类型氮化镓半导体区域。

4.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：

所述衬底主面以给定的离轴角(-2°≤θ≤+2°)相对于m平面进行 错位定向。

5.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：

所述衬底中的穿透位错在c轴方向上延伸；以及

穿过所述衬底的c平面的穿透位错的密度为1×10⁷cm^-2或更小。

6.根据权利要求3所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：

所述衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一区域中，在c轴 方向上延伸的穿透位错的密度大于第一穿透位错密度，以及在所述第 二区域中，在c轴方向上延伸的穿透位错的密度小于所述第一穿透位错 密度；以及

所述第一区域和所述第二区域出现在所述衬底主面上。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于：

所述第二区域中的穿透位错密度小于1×10⁷cm^-2。